硅快速深刻蚀技术的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究背景 | 第9-13页 |
| ·在微电子机械系统中的应用 | 第9-11页 |
| ·在集成电路制造中的应用 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·论文研究主要内容及意义 | 第13-14页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第13-14页 |
| ·论文研究的意义 | 第14页 |
| ·论文章节安排 | 第14-15页 |
| ·小结 | 第15-16页 |
| 2 等离子体刻蚀技术 | 第16-24页 |
| ·等离子体刻蚀技术的发展 | 第16-17页 |
| ·等离子体刻蚀技术的原理 | 第17-19页 |
| ·等离子体的产生 | 第17页 |
| ·等离子体刻蚀中的物理及化学现象 | 第17-18页 |
| ·反应离子刻蚀(RIE)的原理 | 第18-19页 |
| ·感应耦合等离子(ICP)体刻蚀技术 | 第19-23页 |
| ·感应耦合等离子体产生方式 | 第20-21页 |
| ·感应耦合等离子体原理 | 第21-23页 |
| ·感应耦合等离子体的特点 | 第23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 3 掩蔽层图形化工艺研究 | 第24-35页 |
| ·掩蔽层薄膜图形化关键工艺 | 第24-27页 |
| ·光刻工艺 | 第24-26页 |
| ·薄膜工艺 | 第26-27页 |
| ·刻蚀工艺 | 第27页 |
| ·掩蔽层的生长及厚度控制 | 第27-29页 |
| ·掩蔽层材料简介 | 第27-28页 |
| ·实验设备及材料 | 第28页 |
| ·掩蔽层薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·腐蚀法掩蔽层图形化工艺研究 | 第29-31页 |
| ·实验设备及材料 | 第29页 |
| ·掩蔽层薄膜图形化工艺流程 | 第29-31页 |
| ·剥离法掩蔽层图形化工艺研究 | 第31-34页 |
| ·剥离技术介绍 | 第31-32页 |
| ·实验设备及材料 | 第32页 |
| ·掩蔽层薄膜图形化工艺流程 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 4 硅快速刻蚀技术的研究 | 第35-47页 |
| ·硅的刻蚀原理 | 第35-36页 |
| ·硅刻蚀原理 | 第35-36页 |
| ·工艺参数对硅刻蚀速率的影响 | 第36页 |
| ·硅刻蚀速率的实验设计 | 第36-41页 |
| ·实验设备 | 第36-38页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·实验结果 | 第38-41页 |
| ·实验分析 | 第41-45页 |
| ·射频功率对硅刻蚀速率的影响 | 第41-42页 |
| ·气体流量对硅刻蚀速率的影响 | 第42页 |
| ·自偏压对硅刻蚀速率的影响 | 第42-43页 |
| ·掺杂不同气体对硅刻蚀速率的影响 | 第43-44页 |
| ·硅快速刻蚀工艺的选择 | 第44-45页 |
| ·实验结论 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 5 硅深刻蚀中掩蔽层材料的选择 | 第47-55页 |
| ·选择掩蔽层材料的实验设计 | 第47-50页 |
| ·实验设备 | 第47-48页 |
| ·实验过程 | 第48页 |
| ·实验结果 | 第48-50页 |
| ·实验分析与结论 | 第50-52页 |
| ·射频功率对掩蔽层材料刻蚀速率的影响 | 第50-51页 |
| ·气体流量对掩蔽层材料刻蚀速率的影响 | 第51-52页 |
| ·实验结论 | 第52页 |
| ·硅对掩蔽层材料的选择比 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 6 硅深刻蚀技术的研究 | 第55-67页 |
| ·交替复合深刻蚀技术(TMDE) | 第55-57页 |
| ·交替复合深刻蚀技术工艺研究 | 第57-65页 |
| ·淀积保护层工艺研究 | 第57-62页 |
| ·各向异性的刻蚀研究 | 第62-64页 |
| ·交替复合深刻蚀结果 | 第64-65页 |
| ·交替复合深刻蚀工艺优化 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 7 结论 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
