摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 课题背景 | 第11-12页 |
1.2 电化学迁移现象 | 第12-13页 |
1.3 电化学迁移的研究现状 | 第13-18页 |
1.3.1 电化学迁移实验 | 第13-17页 |
1.3.2 电化学迁移研究现状 | 第17-18页 |
1.4 课题的意义和研究内容 | 第18-20页 |
第二章 实验材料与方案 | 第20-32页 |
2.1 实验材料 | 第20-23页 |
2.1.1 印制电路板基板材料 | 第20页 |
2.1.2 表面处理工艺与材料 | 第20-23页 |
2.1.2.1 表面处理工艺 | 第20-21页 |
2.1.2.2 表面处理材料 | 第21-22页 |
2.1.2.3 表面绝缘电阻 | 第22-23页 |
2.2 主要实验设备 | 第23-25页 |
2.2.1 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
2.2.2 能量色散谱仪 | 第24-25页 |
2.3 实验方案 | 第25-30页 |
2.3.1 实验路线图 | 第25-27页 |
2.3.2 实验样品设计与制备 | 第27页 |
2.3.3 实验电路原理图 | 第27-28页 |
2.3.4 实验过程 | 第28-30页 |
2.4 本章小结 | 第30-32页 |
第三章 水滴实验与结果分析 | 第32-52页 |
3.1 电化学迁移实验 | 第32-40页 |
3.1.1 OSP实验组电化学迁移 | 第32-35页 |
3.1.2 浸锡实验组的电化学迁移 | 第35-36页 |
3.1.3 电镀银实验组的电化学迁移 | 第36-38页 |
3.1.4 化学镀金实验组的电化学迁移 | 第38-39页 |
3.1.5 不同表面处理的水滴实验结果比较 | 第39-40页 |
3.2 晶状树突结构的微观结构与元素分析 | 第40-50页 |
3.2.1 OSP实验组的晶枝结构和元素分析 | 第40-42页 |
3.2.2 浸锡实验组的晶枝结构和元素分析 | 第42-45页 |
3.2.3 电镀银实验组的晶枝结构和元素分析 | 第45-47页 |
3.2.4 化学镀金实验组的晶枝结构和元素分析 | 第47-49页 |
3.2.5 不同表面处理的SEM&EDS结果比较 | 第49-50页 |
3.3 本章小结 | 第50-52页 |
第四章 表面处理和基板的实验失效时间分析和电化学迁移抵抗能力评价 | 第52-57页 |
4.1 BT基板上不同表面处理的失效时间分析 | 第52-53页 |
4.2 不同基板和不同表面处理的失效时间分析 | 第53-56页 |
4.3 本章小结 | 第56-57页 |
第五章 电化学迁移的机理分析 | 第57-63页 |
5.1 经典电化学迁移模型 | 第57-58页 |
5.2 阳极晶枝生长模型 | 第58-60页 |
5.3 电化学迁移速度的影响因素 | 第60-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-63页 |
总结与展望 | 第63-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
附件 | 第72页 |