诱导坑制备及其对宏孔硅光电化学腐蚀的影响
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 宏孔硅简介 | 第8-9页 |
| 1.2 宏孔硅的国内外研究概况 | 第9-10页 |
| 1.3 宏孔硅的应用 | 第10-14页 |
| 1.3.1 硅微通道板的应用 | 第10-12页 |
| 1.3.2 宏孔硅用于MEMS器件 | 第12-13页 |
| 1.3.3 宏孔硅用于光子晶体 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第14-15页 |
| 第二章 宏孔硅光电化学腐蚀的机理研究 | 第15-20页 |
| 2.1 多孔硅电化学腐蚀理论模型 | 第15-16页 |
| 2.2 N型宏孔硅光电化学腐蚀原理 | 第16-20页 |
| 第三章 各向异性湿法腐蚀诱导坑制备技术研究 | 第20-35页 |
| 3.1 诱导坑及其制备流程简介 | 第20-21页 |
| 3.2 硅的热氧化工艺 | 第21-25页 |
| 3.2.1 硅的氧化工艺简介 | 第22-23页 |
| 3.2.2 硅片的热氧化实验 | 第23-24页 |
| 3.2.3 氧化时间对氧化层厚度的影响 | 第24-25页 |
| 3.3 欧姆接触层制备工艺的研究 | 第25-27页 |
| 3.3.1 欧姆接触层制备的对比实验 | 第25-26页 |
| 3.3.2 欧姆接触工艺技术问题分析 | 第26-27页 |
| 3.4 光刻工艺的优化 | 第27-31页 |
| 3.4.1 光刻技术理论研究 | 第27-29页 |
| 3.4.2 光刻实验 | 第29页 |
| 3.4.3 对光刻中出现的问题分析 | 第29-31页 |
| 3.5 各向异性湿法腐蚀对诱导坑的影响 | 第31-34页 |
| 3.5.1 硅的各向异性腐蚀简介 | 第31-32页 |
| 3.5.2 KOH溶液浓度及温度对腐蚀速率的影响 | 第32-33页 |
| 3.5.3 晶向对准对诱导坑的影响 | 第33-34页 |
| 3.6 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 基于ICP刻蚀工艺的诱导坑制备技术 | 第35-47页 |
| 4.1 感应耦合等离子体刻蚀技术 | 第35-37页 |
| 4.1.1 硅刻蚀技术主要类型 | 第35页 |
| 4.1.2 Bosch技术原理及ICP刻蚀 | 第35-37页 |
| 4.2 ICP刻蚀诱导坑工艺流程 | 第37-38页 |
| 4.3 ICP制备诱导坑的问题分析 | 第38-40页 |
| 4.4 基于ICP的宏孔硅阵列刻蚀技术研究 | 第40-46页 |
| 4.4.1 ICP深刻蚀的迟滞（Lag）效应 | 第40-42页 |
| 4.4.2 孔内壁条带现象 | 第42-44页 |
| 4.4.3 微掩膜效应与RIE草状结构 | 第44-45页 |
| 4.4.4 ICP刻蚀宏孔硅工艺的特殊性 | 第45-46页 |
| 4.5 小结 | 第46-47页 |
| 第五章 诱导坑对宏孔硅光电化学腐蚀的影响 | 第47-53页 |
| 5.1 宏孔硅光电化学腐蚀实验 | 第47-48页 |
| 5.1.1 光电化学腐蚀装置 | 第47页 |
| 5.1.2 光电化学腐蚀实验操作流程 | 第47-48页 |
| 5.2 湿法腐蚀诱导坑的影响 | 第48-51页 |
| 5.3 ICP刻蚀诱导坑的影响 | 第51页 |
| 5.4 小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57页 |
