| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·ZnO的物理性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO的光电性能 | 第14-15页 |
| ·ZnO基透明导电薄膜 | 第15-20页 |
| ·透明导电薄膜的发展与现状 | 第15-16页 |
| ·透明导电薄膜的光电特性 | 第16-17页 |
| ·透明导电薄膜的制备技术 | 第17-19页 |
| ·ZnO基透明导电薄膜研究意义 | 第19-20页 |
| ·ZnO薄膜晶体管 | 第20-25页 |
| ·薄膜晶体管的发展历史及现状 | 第20-21页 |
| ·薄膜晶体管沟道材料的分类及优缺点 | 第21-22页 |
| ·ZnO薄膜晶体管研究意义 | 第22-25页 |
| 第二章 实验原理及过程 | 第25-37页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)工艺 | 第25-30页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第25-27页 |
| ·PLD实验设备简介 | 第27-29页 |
| ·脉冲激光沉积的特点 | 第29页 |
| ·脉冲激光沉积薄膜步骤 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射(MS)工艺 | 第30-33页 |
| ·磁控溅射技术原理 | 第30-32页 |
| ·磁控溅射设备简介 | 第32页 |
| ·溅射技术镀膜特点 | 第32-33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·表征方法 | 第34-37页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第35页 |
| ·紫外光电子能谱(UPS) | 第35页 |
| ·Hall测试 | 第35页 |
| ·紫外-可见光(UV-VIS)光谱测试 | 第35-37页 |
| 第三章 高阻ZnO多晶薄膜与其晶体管的研究 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·TFT的工作原理 | 第37-38页 |
| ·ZnO-TFTs的制备 | 第38-40页 |
| ·ZnO-TFTs的性能研究 | 第40-44页 |
| ·ZnO薄膜的特性 | 第40-41页 |
| ·ZnO-TFTs的紫外光响应 | 第41-44页 |
| ·结果分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 低阻InAlZnO非晶透明导电薄膜的研究 | 第47-71页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·温度对透明导电薄膜的影响 | 第47-52页 |
| ·表面形貌 | 第48-50页 |
| ·电学性能分析 | 第50-51页 |
| ·光学性能分析 | 第51-52页 |
| ·氧分压对透明导电薄膜的影响 | 第52-55页 |
| ·电学性能分析 | 第53-54页 |
| ·光学性能分析 | 第54-55页 |
| ·薄膜厚度对透明导电薄膜的影响 | 第55-57页 |
| ·电学性能分析 | 第55-56页 |
| ·光学性能分析 | 第56-57页 |
| ·不同Al含量对透明导电薄膜的影响 | 第57-68页 |
| ·成分分析 | 第58-59页 |
| ·晶体结构分析 | 第59-60页 |
| ·表面形貌分析 | 第60-62页 |
| ·电学性能 | 第62-65页 |
| ·光学性能 | 第65-66页 |
| ·结果分析 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-71页 |
| 第五章 多层InAlZnO透明导电薄膜的研究 | 第71-79页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·Cu/InAlZnO双层透明导电薄膜 | 第71-74页 |
| ·电学性能分析 | 第71-73页 |
| ·Cu/InAlZnO薄膜的光学性能分析 | 第73-74页 |
| ·InAlZnO/Cu/InAlZnO三层透明导电薄膜 | 第74-77页 |
| ·InAlZnO/Cu/InAlZnO薄膜的电学性能分析 | 第75-76页 |
| ·薄膜的光学性能分析 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第六章 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 个人简历 | 第89-91页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第91页 |