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天线电池用MIM隧道二极管的制备及表征

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
目录第9-11页
第一章 绪论第11-15页
   ·研究背景和意义第11-13页
   ·论文的结构第13-15页
第二章 文献综述第15-33页
   ·天线电池发展进程第15-18页
     ·第一个实用的转换天线第15页
     ·最早的天线太阳电池模型第15-16页
     ·Marks的天线太阳电池第16-17页
     ·天线太阳能电池最新进展第17-18页
   ·MIM二极管发展进程第18-31页
     ·MIM二极管工作原理第18-20页
     ·MIM二极管性能标准第20-21页
     ·M1M二极管结构要求第21-23页
     ·MIM二极管制备工艺第23-26页
     ·面接触MIM二极管金属层制备工艺第26-27页
     ·面接触MIM二极管中间绝缘层制备工艺第27-31页
   ·研究方向第31-33页
第三章 实验内容与研究方法第33-37页
   ·实验方案第33-34页
   ·合成制备设备第34-35页
     ·直流磁控溅射第34页
     ·电化学工作站第34-35页
     ·热处理炉第35页
   ·测试表征设备第35-37页
     ·场发射扫描电境(FESEM)第35-36页
     ·透射电子显微镜(TEM)第36页
     ·KEITHLEY 4200-SCS半导体参数分析仪第36-37页
第四章 模板法制备Ni-NiO_x-Cu隧道二极管及其表征第37-45页
   ·引言第37页
   ·实验第37-39页
     ·Ni-NiO_x-Cu二极管的制备第37-38页
     ·Ni-NiO_x-Cu二极管的表征第38-39页
   ·结果与讨论第39-44页
     ·金属电极的结构表征第39-40页
     ·氧化物绝缘层的结构表征第40-41页
     ·Ni-NiO_x-Cu二极管的结构表征第41-42页
     ·Ni-NiO_x-Cu二极管的电学性能表征第42-44页
   ·本章小结第44-45页
第五章 热处理工艺对Ni-NiO_x-Cu二极管电学性能的影响第45-53页
   ·引言第45页
   ·实验第45-46页
   ·结果与讨论第46-52页
     ·热处理工艺对NiO_x绝缘层的影响第46-48页
     ·热氧化时间对于Ni-NiO_x-Cu二极管电学性能的影响第48-50页
     ·热氧化温度对于Ni-NiO_x-Cu二极管电学性能的影响第50-52页
   ·本章小结第52-53页
第六章 金属电极功函数差对MIM二极管电学性能的影响第53-63页
   ·引言第53-54页
   ·实验第54-55页
     ·具有不同金属电极的MIM二极管的制备第54页
     ·具有不同接触面积的Ni-NiO_x-Cu二极管的制备第54-55页
   ·结果与讨论第55-61页
     ·具有不同功函数差金属电极MIM二极管的电学性能第55-58页
     ·具有不同金属与氧化物接触面积Ni-NiO_x-Cu二极管的电学性能第58-61页
   ·本章小结第61-63页
第七章 结论第63-65页
参考文献第65-71页
致谢第71-73页
个人简历第73-75页
攻读学位期间发表的学术与取得的其它研究成果第75页

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