| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-33页 |
| §2．1 霍尔效应的基本原理 | 第10-13页 |
| §2．2 高性能霍尔元件的研究和进展 | 第13-16页 |
| §2．3 非平面霍尔元件的研究和进展 | 第16-19页 |
| §2．4 霍尔集成电路的研究和进展 | 第19-27页 |
| §2．5 未来的发展 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第三章 霍尔元件设计与制作 | 第33-56页 |
| §3．1 霍尔元件的优化设计 | 第33-51页 |
| §3．1．1 矩形霍尔元件 | 第34-35页 |
| §3．1．2 具有90°旋转对称的霍尔元件 | 第35-51页 |
| §3．1．2．1 单位圆霍尔元件 | 第35-46页 |
| §3．1．2．2 实际的具有90°旋转对称的霍尔元件 | 第46-51页 |
| §3．2 霍尔元件的制作与测试 | 第51-54页 |
| §3．3 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第四章 霍尔开关集成电路的研制 | 第56-82页 |
| §4．1 霍尔开关集成电路分析及仿真 | 第56-71页 |
| §4．1．1 霍尔开关集成电路的结构 | 第56-57页 |
| §4．1．2 稳压电路部分 | 第57-61页 |
| §4．1．3 放大电路与触发电路部分 | 第61-69页 |
| §4．1．3．1 通常的电路形式 | 第61-63页 |
| §4．1．3．2 2AV77C中采用的电路 | 第63-69页 |
| §4．1．4 设计版图 | 第69-71页 |
| §4．2 GaAs霍尔开关集成电路的研制 | 第71-79页 |
| §4．2．1 霍尔元件和耗尽MESFET的性能 | 第72-73页 |
| §4．2．2 电路的设计与仿真 | 第73-75页 |
| §4．2．3 版图设计 | 第75-76页 |
| §4．2．4 制作工艺和性能测试 | 第76-79页 |
| §4．3 本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-82页 |
| 第五章 霍尔相位传感器组件的研制 | 第82-103页 |
| §5．1 霍尔相位传感器组件的结构和工作原理 | 第82-84页 |
| §5．2 永磁材料性能比较 | 第84-86页 |
| §5．3 磁路设计初步分析 | 第86-90页 |
| §5．3．1 磁路理论 | 第86-88页 |
| §5．3．2 霍尔相位传感器组件中永磁体材料的确定 | 第88-89页 |
| §5．3．3 叶片运动与磁场的关系 | 第89-90页 |
| §5．4 磁路仿真与设计 | 第90-100页 |
| §5．4．1 仿真方法的建立 | 第90-91页 |
| §5．4．2 仿真方法的验证 | 第91-94页 |
| §5．4．2．1 2AV系列霍尔相位传感器组件的静态仿真 | 第91-93页 |
| §5．4．2．2 2AV系列霍尔相位传感器组件的动态仿真 | 第93-94页 |
| §5．4．3 新型高精度Sm_2Co_（17）霍尔相位传感器组件的设计与研制 | 第94-100页 |
| §5．4．3．1 模型设计与仿真 | 第95-96页 |
| §5．4．3．2 Sm_2Co_（17）霍尔相位传感器组件样品研制 | 第96-98页 |
| §5．4．3．3 工艺误差分析 | 第98页 |
| §5．4．3．4 工作点位置的检测设备 | 第98-99页 |
| §5．4．3．5 设计中的匹配问题 | 第99-100页 |
| §5．5 本章小结 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-103页 |
| 第六章 结论 | 第103-105页 |
| 附录A | 第105-107页 |
| 附录B | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
