| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1 引言 | 第8-13页 |
| 1.1.1 摩尔定律的预言 | 第8-10页 |
| 1.1.2 新型纳米尺度材料带来的机遇和挑战 | 第10-13页 |
| 1.2 晶圆级二维MoS_2纳米薄膜的制备方法 | 第13-19页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法(CVD) | 第14-15页 |
| 1.2.2 溶液热解法 | 第15-16页 |
| 1.2.3 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第16-17页 |
| 1.2.4 分子束外延(MBE) | 第17-18页 |
| 1.2.5 磁控溅射法 | 第18-19页 |
| 1.3 晶圆级MoS_2薄膜的电学及光电应用 | 第19-24页 |
| 1.3.1 基于MoS_2的场效应晶体管(FET)阵列 | 第19-21页 |
| 1.3.2 大面积MoS_2柔性透明器件的集成 | 第21页 |
| 1.3.3 基于晶圆级MoS_2薄膜的异质结 | 第21-23页 |
| 1.3.4 基于MoS_2的忆阻器件 | 第23-24页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 MoS_2薄膜及其阵列器件的制备与表征 | 第26-36页 |
| 2.1 MoS_2 薄膜制备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 离子束溅射制备钼膜前驱体 | 第26-27页 |
| 2.1.2 热硫化法合成MoS | 第27页 |
| 2.2 薄膜物理化学特性表征及晶体结构分析 | 第27-32页 |
| 2.2.1 钼膜的微观形貌表征及晶体结构分析 | 第28-29页 |
| 2.2.2 MoS_2 薄膜的表面形貌表征 | 第29-30页 |
| 2.2.3 MoS_2 薄膜的分子结构表征 | 第30页 |
| 2.2.4 MoS_2 薄膜组分及键能分析 | 第30-31页 |
| 2.2.5 MoS_2 薄膜晶体结构表征 | 第31-32页 |
| 2.3 MoS_2 背栅晶体管阵列器件的制备及测试 | 第32-36页 |
| 2.3.1 栅控制极制作 | 第32-33页 |
| 2.3.2 薄膜转移 | 第33页 |
| 2.3.3 源漏电极的制备 | 第33-35页 |
| 2.3.4 器件电学性能及阵列器件一致性测试 | 第35-36页 |
| 第三章 晶圆级、层数可控MoS_2薄膜的制备 | 第36-53页 |
| 3.1 钼金属薄膜前驱体的制备 | 第36-38页 |
| 3.1.1 磁控溅射法 | 第37-38页 |
| 3.1.2 离子束溅射制备钼膜 | 第38页 |
| 3.2 热蒸汽硫化钼膜制备晶圆级MoS_2薄膜 | 第38-45页 |
| 3.2.1 升温速率对MoS_2晶体结构的影响 | 第39-44页 |
| 3.2.2 硫化温度对MoS_2晶体结构的影响 | 第44-45页 |
| 3.3 MoS_2 薄膜可控层数的制备 | 第45-50页 |
| 3.3.1 钼膜厚度与MoS_2薄膜厚度的关系 | 第45-46页 |
| 3.3.2 MoS_2 薄膜的厚度表征 | 第46-50页 |
| 3.4 大面积MoS_2晶体缺陷分析 | 第50-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 MoS_2阵列器件的制备及传输特性研究 | 第53-67页 |
| 4.1 MoS_2 背栅FET阵列器件 | 第53-55页 |
| 4.1.1 背栅FET阵列器件的基本结构 | 第53页 |
| 4.1.2 背栅FET阵列器件的制作与测试 | 第53-55页 |
| 4.2 MoS_2 层数对器件电学性能影响的研究 | 第55-63页 |
| 4.2.1 层数对背栅FET载流子迁移率的影响 | 第56-58页 |
| 4.2.2 层数对沟道电阻的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.3 MoS_2 光电晶体管的光电效应 | 第60-62页 |
| 4.2.4 层数对MoS_2-FET光电流的影响 | 第62-63页 |
| 4.3 MoS_2 传输机制的研究 | 第63-65页 |
| 4.3.1 缺陷对MoS_2电学特性的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.2 MoS_2 结构缺陷对光电效应的影响 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 本文总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |