| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题的背景及研究意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 课题的背景 | 第9页 |
| 1.1.2 课题的研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 热-力特性研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 IGBT模块封装级失效研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 IGBT模块键合线失效的状态监测研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 论文主要工作及章节安排 | 第14-16页 |
| 1.3.1 论文主要研究内容 | 第14页 |
| 1.3.2 章节安排 | 第14-16页 |
| 第二章 基于多物理场的键合线可靠性分析 | 第16-26页 |
| 2.1 键合线失效机理分析 | 第16页 |
| 2.2 IGBT模块电-热-应力场耦合分析 | 第16-17页 |
| 2.3 有限元数值模拟 | 第17-25页 |
| 2.3.1 电-热耦合分析 | 第18-21页 |
| 2.3.2 热-应力耦合分析 | 第21-23页 |
| 2.3.3 键合点脱落的有限元模型分析 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 键合线故障对IGBT性能影响分析 | 第26-42页 |
| 3.1 IGBT模块的工作原理 | 第26-31页 |
| 3.1.1 IGBT芯片内部结构及其机理分析 | 第26-28页 |
| 3.1.2 IGBT模块的动态开关过程 | 第28-31页 |
| 3.2 键合线故障对模块内部寄生参数的影响 | 第31-38页 |
| 3.2.1 键合线故障对集电极-发射极间的寄生电感的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.2 键合线故障对门极电容的影响 | 第34-38页 |
| 3.3 键合线故障对外部电信号的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.1 键合线故障对门极电压的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.2 键合线故障对关断电流的影响 | 第40页 |
| 3.3.3 键合线故障对通态压降的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于结温补偿的IGBT键合线失效监测方法 | 第42-52页 |
| 4.1 结温补偿方法 | 第42-45页 |
| 4.1.1 内部互联材料等效电阻分析 | 第42-43页 |
| 4.1.2 结温补偿原理 | 第43-44页 |
| 4.1.3 相关系数的获取 | 第44-45页 |
| 4.2 结温补偿方法的实验验证 | 第45-47页 |
| 4.3 IGBT模块键合线失效监测 | 第47-51页 |
| 4.3.1 失效基准的设置 | 第47-50页 |
| 4.3.2 失效监测流程 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第52页 |
| 5.2 后续研究工作与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |