| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 集成电路制造的发展与趋势 | 第9-11页 |
| 1.2 化学机械抛光技术应用 | 第11-14页 |
| 1.2.1 化学机械抛光技术介绍 | 第11-12页 |
| 1.2.2 多层铜互连技术中CMP的应用 | 第12-14页 |
| 1.3 铜布线CMP抛光液发展现状及存在的问题 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 化学机械抛光的实验设备与机理研究 | 第19-27页 |
| 2.1 实验设备 | 第19-22页 |
| 2.1.1 抛光机 | 第19页 |
| 2.1.2 原子力显微镜 | 第19-20页 |
| 2.1.3 四探针测试仪 | 第20页 |
| 2.1.4 台阶仪 | 第20-21页 |
| 2.1.5 电化学工作站 | 第21页 |
| 2.1.6 接触角测试仪 | 第21-22页 |
| 2.2 抛光液材料的选择 | 第22-27页 |
| 2.2.1 磨料分析 | 第22-23页 |
| 2.2.2 氧化剂分析 | 第23页 |
| 2.2.3 络合剂分析 | 第23-24页 |
| 2.2.4 活性剂分析 | 第24-27页 |
| 第三章 CMP中铜抛光液稳定性的研究 | 第27-37页 |
| 3.1 实验条件 | 第27-28页 |
| 3.2 抛光液配制工艺的确定 | 第28-29页 |
| 3.3 磨料SiO_2的稳定性研究 | 第29-33页 |
| 3.3.1 pH值对硅溶胶的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.2 甘氨酸对硅溶胶的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.3 磨料浓度对硅溶胶稳定性影响 | 第31页 |
| 3.3.4 铜CMP稳定性实验 | 第31-33页 |
| 3.4 氧化剂H_2O_2的稳定性 | 第33-35页 |
| 3.4.1 络合剂甘氨酸对H_2O_2的影响 | 第33页 |
| 3.4.2 FA/OⅠ螯合剂对H_2O_2的影响 | 第33-34页 |
| 3.4.3 FA/O非离子表面活性剂对H_2O_2的影响 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 CMP中铜去除速率的影响研究 | 第37-45页 |
| 4.1 抛光液各组分对铜膜粗抛速率的影响 | 第37-42页 |
| 4.1.1 实验工艺条件 | 第37页 |
| 4.1.2 磨料对Cu去除速率的影响 | 第37-39页 |
| 4.1.3 双氧水浓度对Cu去除速率的影响 | 第39-40页 |
| 4.1.4 络合剂对Cu去除速率的影响 | 第40-42页 |
| 4.2 CMP工艺对铜粗抛速率的影响 | 第42-44页 |
| 4.2.1 压力对Cu粗抛速率的影响 | 第42页 |
| 4.2.2 转速对Cu抛光速率的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.3 流量对Cu抛光速率的影响 | 第43-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 新型碱性抛光液平坦化性能的研究 | 第45-55页 |
| 5.1 抛光液对WIWNU的影响研究 | 第45-50页 |
| 5.1.1 实验条件 | 第45-46页 |
| 5.1.2 压力对WIWNU的影响 | 第46-47页 |
| 5.1.3 FA/O非离子表面活性剂对WIWNU的影响 | 第47-49页 |
| 5.1.4 FA/O非离子表面活性剂对抛光后残留颗粒的影响 | 第49-50页 |
| 5.2 抛光液对碟形坑的影响研究 | 第50-53页 |
| 5.2.1 氧化剂对碟形坑延伸的影响 | 第50-52页 |
| 5.2.2 缓蚀剂对碟形坑的影响 | 第52-53页 |
| 5.2.3 新型抛光液对粗糙度的影响 | 第53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
