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Flip-Chip封装互连结构电磁特性分析

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第9-20页
    1.1 研究背景及意义第9-10页
    1.2 芯片封装概述第10-15页
        1.2.1 封装的定义及功能第10-11页
        1.2.2 封装技术的发展及分类第11-15页
    1.3 倒装芯片封装互连技术第15-18页
        1.3.1 倒装芯片技术的定义与结构第15-16页
        1.3.2 倒装芯片封装的国内外研究现状第16-18页
    1.4 论文的研究内容及章节安排第18-20页
        1.4.1 主要研究内容第18页
        1.4.2 论文章节安排第18-20页
第二章 芯片封装电磁理论分析第20-31页
    2.1 微波网络第20-25页
        2.1.1 理论简介第20页
        2.1.2 S参数矩阵第20-22页
        2.1.3 传输线传输特性第22-24页
        2.1.4 导行电磁波的类型第24-25页
    2.2 封装内的电磁干扰第25-30页
        2.2.1 电磁干扰的产生与分类第25-26页
        2.2.2 电磁干扰的传播方式第26-29页
        2.2.3 电磁干扰的危害第29页
        2.2.4 减少电磁干扰的措施第29-30页
    2.3 本章小结第30-31页
第三章 倒装芯片信号传输结构建模及SI分析第31-45页
    3.1 Bump互连结构建模第31-39页
        3.1.1 等效电路参数提取第31-35页
        3.1.2 模型仿真第35-39页
    3.2 TL结构建模第39-44页
        3.2.1 等效电路参数提取第40-42页
        3.2.2 模型仿真第42-44页
    3.3 本章小结第44-45页
第四章 倒装芯片封装结构传输特性分析第45-60页
    4.1 Flip-Chip典型结构三维建模第45-48页
        4.1.1 建模的基本原理及流程第45-46页
        4.1.2 Flip-Chip封装的物理建模第46-48页
    4.2 Flip-Chip的主要互连结构Bump第48-51页
        4.2.1 Bump的几何尺寸对传输特性的影响第48-50页
        4.2.2 Bump的水平间距对传输特性的影响第50-51页
    4.3 互连结构的优化设计第51-54页
        4.3.1 局部匹配设计第51-52页
        4.3.2 多个地Bump的影响第52-53页
        4.3.3 重叠电介质长度第53页
        4.3.4 不同介质基板材料的影响第53-54页
    4.4 Flip-Chip的串扰分析第54-56页
    4.5 多层倒装芯片结构设计优化第56-59页
    4.6 本章小结第59-60页
第五章 倒装芯片电磁特性及EMI分析第60-68页
    5.1 Flip-Chip中的CPW结构第60-62页
        5.1.1 共面波导传输线第60页
        5.1.2 电磁场分布及传输特性第60-62页
    5.2 封装内的电磁场辐射第62-67页
        5.2.1 封装内的电磁场特性第62-64页
        5.2.2 EMI电磁辐射影响因素第64-67页
    5.3 本章小结第67-68页
第六章 总结第68-70页
参考文献第70-74页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第74-75页
致谢第75页

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