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缓解集成电路NBTI老化的优化门替换技术研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
abstract第9页
第一章 绪论第15-25页
    1.1 研究背景与意义第15-17页
    1.2 集成电路的老化效应第17-20页
    1.3 国内外研究现状第20-23页
        1.3.1 NBTI补偿技术第21-22页
        1.3.2 NBTI缓解技术第22-23页
    1.4 论文主要工作第23页
    1.5 论文内容安排第23-25页
第二章 研究工作基础第25-35页
    2.1 NBTI效应与模型第25-30页
        2.1.1 NBTI效应第25-27页
        2.1.2 NBTI模型第27-30页
    2.2 静态时序分析软件第30-31页
    2.3 Hspice仿真工具第31-32页
    2.4 NBTI效应防护技术第32-34页
        2.4.1 输入向量控制技术第32-33页
        2.4.2 门替换技术第33-34页
    2.5 本章小结第34-35页
第三章 基于优化度量策略的门替换技术缓解电路老化第35-45页
    3.1 研究动机第35-36页
    3.2 考虑节点信息的电路老化预测第36-39页
    3.3 优化门替换技术应用第39-41页
        3.3.1 关键门识别第39-40页
        3.3.2 门替换方案的实现第40-41页
    3.4 实验结果与分析第41-44页
        3.4.1 实验条件设置第41-42页
        3.4.2 实验结果与分析第42-44页
    3.5 本章小结第44-45页
第四章 门替换约束下的输入向量控制缓解电路老化第45-53页
    4.1 研究动机第45-46页
    4.2 基于遗传算法的输入向量选取方法第46-47页
    4.3 输入向量控制与门替换结合的分析流程第47-50页
        4.3.1 输入向量选取策略第47-49页
        4.3.2 输入向量控制与门替换结合缓解电路老化第49-50页
    4.4 实验结果与分析第50-52页
        4.4.1 实验条件设置第50页
        4.4.2 实验结果分析第50-52页
    4.5 本章小结第52-53页
第五章 结论与展望第53-55页
    5.1 研究工作总结第53-54页
    5.2 未来工作展望第54-55页
参考文献第55-59页
攻读硕士期间的学术活动及成果情况第59-60页

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