缓解集成电路NBTI老化的优化门替换技术研究
致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
abstract | 第9页 |
第一章 绪论 | 第15-25页 |
1.1 研究背景与意义 | 第15-17页 |
1.2 集成电路的老化效应 | 第17-20页 |
1.3 国内外研究现状 | 第20-23页 |
1.3.1 NBTI补偿技术 | 第21-22页 |
1.3.2 NBTI缓解技术 | 第22-23页 |
1.4 论文主要工作 | 第23页 |
1.5 论文内容安排 | 第23-25页 |
第二章 研究工作基础 | 第25-35页 |
2.1 NBTI效应与模型 | 第25-30页 |
2.1.1 NBTI效应 | 第25-27页 |
2.1.2 NBTI模型 | 第27-30页 |
2.2 静态时序分析软件 | 第30-31页 |
2.3 Hspice仿真工具 | 第31-32页 |
2.4 NBTI效应防护技术 | 第32-34页 |
2.4.1 输入向量控制技术 | 第32-33页 |
2.4.2 门替换技术 | 第33-34页 |
2.5 本章小结 | 第34-35页 |
第三章 基于优化度量策略的门替换技术缓解电路老化 | 第35-45页 |
3.1 研究动机 | 第35-36页 |
3.2 考虑节点信息的电路老化预测 | 第36-39页 |
3.3 优化门替换技术应用 | 第39-41页 |
3.3.1 关键门识别 | 第39-40页 |
3.3.2 门替换方案的实现 | 第40-41页 |
3.4 实验结果与分析 | 第41-44页 |
3.4.1 实验条件设置 | 第41-42页 |
3.4.2 实验结果与分析 | 第42-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 门替换约束下的输入向量控制缓解电路老化 | 第45-53页 |
4.1 研究动机 | 第45-46页 |
4.2 基于遗传算法的输入向量选取方法 | 第46-47页 |
4.3 输入向量控制与门替换结合的分析流程 | 第47-50页 |
4.3.1 输入向量选取策略 | 第47-49页 |
4.3.2 输入向量控制与门替换结合缓解电路老化 | 第49-50页 |
4.4 实验结果与分析 | 第50-52页 |
4.4.1 实验条件设置 | 第50页 |
4.4.2 实验结果分析 | 第50-52页 |
4.5 本章小结 | 第52-53页 |
第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
5.1 研究工作总结 | 第53-54页 |
5.2 未来工作展望 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-59页 |
攻读硕士期间的学术活动及成果情况 | 第59-60页 |