| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第15-18页 |
| 1.2 纳米级电路可靠性问题 | 第18-21页 |
| 1.2.1 老化效应 | 第18-20页 |
| 1.2.2 泄漏功耗 | 第20-21页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第21-24页 |
| 1.3.1 NBTI补偿技术 | 第21-23页 |
| 1.3.2 NBTI缓解技术 | 第23-24页 |
| 1.3.3 协同缓解NBTI效应和泄漏功耗技术 | 第24页 |
| 1.4 本文主要工作和章节安排 | 第24-27页 |
| 1.4.1 本文主要工作 | 第24-25页 |
| 1.4.2 章节安排 | 第25-27页 |
| 第二章 研究工作基础 | 第27-35页 |
| 2.1 NBTI效应及模型 | 第27-31页 |
| 2.1.1 NBTI效应 | 第27-29页 |
| 2.1.2 NBTI模型 | 第29-31页 |
| 2.2 泄漏功耗模型 | 第31-32页 |
| 2.3 Hspice仿真工具 | 第32-33页 |
| 2.4 静态时序分析软件 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 考虑功耗约束的多阈值电压方法缓解电路老化 | 第35-45页 |
| 3.1 研究动机 | 第35-36页 |
| 3.2 考虑泄漏功耗约束缓解NBTI效应分析框架 | 第36-37页 |
| 3.3 考虑泄漏功耗约束的优化算法 | 第37-39页 |
| 3.4 实验结果与分析 | 第39-43页 |
| 3.4.1 实验条件 | 第39页 |
| 3.4.2 实验结果与分析 | 第39-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 协同缓解NBTI效应与降低电路泄漏功耗 | 第45-54页 |
| 4.1 研究动机 | 第45-46页 |
| 4.2 协同缓解NBTI效应与降低泄漏功耗的多阈值电压方案 | 第46-50页 |
| 4.2.1 非关键门集合的划分 | 第46-47页 |
| 4.2.2 协同缓解NBTI效应与降低泄漏功耗的分析框架 | 第47-49页 |
| 4.2.3 协同优化算法 | 第49-50页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第50-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第54-55页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士期间的学术活动及成果情况 | 第60-61页 |