硅基MOS器件的电离辐照效应分析

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·基本辐照效应	第7-8页
·国内外发展现状	第8-9页
·论文结构	第9-11页
第二章 MOS结构的电离辐射效应	第11-23页
·MOS结构的总剂量辐照效应	第11-13页
·电子-空穴对的产生	第11-13页
·辐射在MOS结构中引入缺陷的机理	第13页
·电离辐照效应对MOS器件的影响	第13-16页
·阈值电压漂移	第14-15页
·跨导退化	第15-16页
·静态漏电流	第16页
·MOS结构电离辐照效应的表征	第16-19页
·抗辐照加固方法	第19-20页
·本章小结	第20-23页
第三章 MOS器件阈值电压模型的数值仿真	第23-37页
·辐照产生的陷阱及其影响	第23-25页
·辐照前的界面态	第23页
·辐照引入的氧化物陷阱电荷和界面态电荷	第23-24页
·辐照引入的界面陷阱的性质及其对阈值电压的影响	第24-25页
·辐照剂量与阈值电压漂移关系模型	第25-26页
·电离辐照ISE模拟仿真	第26-34页
·ISE软件简介	第26-28页
·电离辐照仿真	第28-34页
·仿真模拟结果讨论	第34-35页
·本章小结	第35-37页
第四章 SOI结构电离辐照总剂量效应模拟	第37-49页
·SOI技术的优点与存在的问题	第37-38页
·SOI技术的主要优势	第37页
·SOI技术中存在的问题	第37-38页
·SOI结构的总剂量辐照效应	第38-41页
·PD MOSFET/SOI器件的总剂量辐照效应	第38-40页
·SOI材料BOX层总剂量辐照效应	第40-41页
·SOI电离辐照效应阈值电压模型与模拟	第41-47页
·SOI电离辐照效应阈值电压模型	第41-42页
·模拟验证	第42-44页
·不同偏置条件对SOI阈值电压的影响	第44-47页
·本章小结	第47-49页
第五章 结论与展望	第49-51页
·结论	第49页
·展望	第49-51页
致谢	第51-53页
参考文献	第53-57页