ULSI铜互连中电迁移可靠性研究及其工艺整合优化
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 引言 | 第6-16页 |
| 1.1 集成电路的发展及其现状 | 第6-8页 |
| 1.2 半导体集成电路制造技术的发展 | 第8-10页 |
| 1.3 半导体金属互连技术的发展 | 第10-14页 |
| 1.4 铜互连可靠性的研究 | 第14-15页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 先进铜互连技术概论 | 第16-32页 |
| 2.1 铜互连工艺的集成 | 第16页 |
| 2.2 铜互连沟槽和通孔的刻蚀 | 第16-20页 |
| 2.3 铜的扩散阻挡层和籽晶层 | 第20-25页 |
| 2.4 铜的电镀工艺 | 第25-27页 |
| 2.5 铜的平坦化工艺 | 第27-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 电迁移的基本原理和可靠性测试 | 第32-46页 |
| 3.1 电迁移的基本概念 | 第32-33页 |
| 3.2 电迁移的物理机制 | 第33-38页 |
| 3.3 影响铜互连电迁移的因素 | 第38-39页 |
| 3.4 电迁移的测试 | 第39-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 提高电迁移可靠性的工艺优化 | 第46-73页 |
| 4.1 化学机械研磨条件优化 | 第46-53页 |
| 4.2 扩散阻挡层条件优化 | 第53-61页 |
| 4.3 干法刻蚀条件优化 | 第61-65页 |
| 4.4 其他工艺条件的优化 | 第65-68页 |
| 4.5 缺陷对电迁移可靠性的影响 | 第68-71页 |
| 4.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 第5章 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
