三维集成电路绑定前TSV测试方法研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-25页 |
| 1.1 三维集成电路产生背景 | 第16-18页 |
| 1.2 三维集成电路的优点与挑战 | 第18-21页 |
| 1.2.1 三维集成电路的优点 | 第18-20页 |
| 1.2.2 三维集成电路的挑战 | 第20-21页 |
| 1.3 国内外研究状况 | 第21-23页 |
| 1.4 研究的主要内容 | 第23-24页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第24-25页 |
| 第二章 硅通孔技术介绍 | 第25-37页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 基于TSV的三维集成电路关键技术 | 第26-29页 |
| 2.2.1 三维堆叠技术 | 第26-27页 |
| 2.2.2 对齐技术 | 第27-28页 |
| 2.2.3 绑定技术 | 第28-29页 |
| 2.2.4 减薄技术 | 第29页 |
| 2.3 TSV制造工艺 | 第29-32页 |
| 2.3.1 TSV制造方法 | 第29-31页 |
| 2.3.2 TSV工艺步骤 | 第31-32页 |
| 2.4 TSV电气模型 | 第32-36页 |
| 2.4.1 电阻 | 第33-34页 |
| 2.4.2 电容 | 第34-35页 |
| 2.4.3 电感 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 绑定前硅通孔测试 | 第37-50页 |
| 3.1 硅通孔缺陷与故障 | 第37-39页 |
| 3.2 硅通孔测试 | 第39-41页 |
| 3.3 绑定前硅通孔测试方法 | 第41-49页 |
| 3.3.1 单种故障检测方法 | 第41-43页 |
| 3.3.2 多种故障检测方法 | 第43-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 基于仲裁器的绑定前硅通孔测试 | 第50-62页 |
| 4.1 问题的提出 | 第50-52页 |
| 4.2 TSV电气模型及延迟时间 | 第52-54页 |
| 4.2.1 TSV电气模型 | 第52-53页 |
| 4.2.2 TSV延迟时间 | 第53-54页 |
| 4.3 本文测试方案 | 第54-57页 |
| 4.3.1 TSV测试结构 | 第54-56页 |
| 4.3.2 故障分级结构 | 第56-57页 |
| 4.4 实验结果 | 第57-61页 |
| 4.4.1 测试精度 | 第58-59页 |
| 4.4.2 故障分级 | 第59-60页 |
| 4.4.3 检测多故障共存的TSV | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62-63页 |
| 5.2 下一步工作 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第69页 |
