硅通孔中电镀铜填充技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·TSV技术发展概况 | 第8-9页 |
| ·TSV电镀铜技术背景及研究意义 | 第9-11页 |
| ·论文的主要工作 | 第11-12页 |
| 2 TSV技术及TSV电镀铜技术简介 | 第12-21页 |
| ·TSV技术简介 | 第12-14页 |
| ·TSV电镀铜技术简介 | 第14-20页 |
| ·电镀铜填充关键因素 | 第14-16页 |
| ·电镀铜填充生长机理 | 第16-19页 |
| ·电镀铜反应动力学概要 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 3 TSV通孔电镀铜仿真 | 第21-32页 |
| ·COMSOL Multiphysics软件介绍 | 第21-22页 |
| ·仿真模型建立 | 第22-26页 |
| ·物理模型及边界条件 | 第22-23页 |
| ·数学模型 | 第23-26页 |
| ·仿真结果及分析 | 第26-31页 |
| ·有无加速剂的仿真结果 | 第26-28页 |
| ·参数值对加速剂覆盖率的影响 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 4 TSV盲孔电镀铜仿真 | 第32-45页 |
| ·夹断效应仿真 | 第32-36页 |
| ·物理模型及边界条件 | 第32-33页 |
| ·数学模型 | 第33-35页 |
| ·仿真结果及分析 | 第35-36页 |
| ·‘V’型生长过程仿真 | 第36-40页 |
| ·物理模型及边界条件 | 第36页 |
| ·数学模型 | 第36-37页 |
| ·仿真结果及分析 | 第37-40页 |
| ·‘U’型生长过程仿真 | 第40-43页 |
| ·物理模型及边界条件 | 第40页 |
| ·数学模型 | 第40-42页 |
| ·仿真结果及分析 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 5 TSV盲孔电镀铜实验 | 第45-54页 |
| ·电镀铜中的化学品 | 第45-47页 |
| ·电镀样片及实验步骤 | 第47-50页 |
| ·实验结果及分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
