摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-11页 |
1.2 ESD保护历史与国内外研究现状 | 第11-13页 |
1.3 本文的主要工作内容 | 第13-14页 |
1.4 本论文的结构安排 | 第14-15页 |
第二章 ESD保护理论 | 第15-31页 |
2.1 ESD放电模式 | 第15-18页 |
2.1.1 人体放电模式(Human Body Model, HBM) | 第15-16页 |
2.1.2 机器放电模式(Machine Model, MM) | 第16-17页 |
2.1.3 器件充电放电模式(Charged-Device Model, CDM) | 第17-18页 |
2.2 传输线脉冲测试仪(Transmission Line Pulse,TLP) | 第18-20页 |
2.3 常见ESD失效方式 | 第20-22页 |
2.3.1 毁坏性失效 | 第20-21页 |
2.3.2 潜在性失效 | 第21-22页 |
2.4 ESD设计窗口 | 第22-26页 |
2.4.1 两种ESD保护器件的I-V特性 | 第22-23页 |
2.4.2 ESD设计窗口概述 | 第23-25页 |
2.4.3 理想的ESD保护器件 | 第25-26页 |
2.5 全芯片ESD保护 | 第26-30页 |
2.5.1 ESD保护设计方案 | 第28-29页 |
2.5.2 优秀ESD保护的特点 | 第29-30页 |
2.6 本章小结 | 第30-31页 |
第三章 常规ESD保护器件 | 第31-45页 |
3.1 二极管 | 第31-35页 |
3.1.1 理想二极管物理分析 | 第31-32页 |
3.1.2 二极管结构 | 第32-33页 |
3.1.3 二极管的版图设计 | 第33-34页 |
3.1.4 二极管在ESD保护中的应用 | 第34-35页 |
3.2 BJT晶体管 | 第35-38页 |
3.2.1 BJT原理 | 第35-36页 |
3.2.2 ESD下BJT工作原理 | 第36-38页 |
3.3 MOS晶体管 | 第38-41页 |
3.3.1 NMOS工作方式 | 第39-40页 |
3.3.2 栅极接地NMOS(Grounded Gate NMOS,GGNMOS) | 第40-41页 |
3.4 可控硅SCR | 第41-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 双向SCR器件 | 第45-59页 |
4.1 单向ESD保护器件面临的困境 | 第45-46页 |
4.2 经典双向ESD保护 | 第46-49页 |
4.2.1 串联二极管双向ESD保护 | 第46-48页 |
4.2.2 串联SCR双向ESD保护 | 第48-49页 |
4.2.3 双向SCR器件保护 | 第49页 |
4.3 新型双向SCR器件原理 | 第49-51页 |
4.4 新型双向SCR的TLP测试结果与分析 | 第51-53页 |
4.4.1 参数D3对新型双向SCR的影响 | 第51-52页 |
4.4.2 参数D1对新型双向SCR的影响 | 第52页 |
4.4.3 参数D2对新型双向SCR的影响 | 第52-53页 |
4.5 新型双向SCR在高压电路ESD保护中的应用 | 第53-58页 |
4.5.1 串联ESD保护结构 | 第54-56页 |
4.5.2 串联新型双向SCR保护结构 | 第56-58页 |
4.6 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 SCR外部触发单元设计 | 第59-72页 |
5.1 引言 | 第59页 |
5.2 降低SCR开启电压的方法 | 第59-63页 |
5.2.1 MLSCR(Modified Lateral SCR)结构 | 第59-60页 |
5.2.2 LVTSCR(Low-Voltage triggering SCR)结构 | 第60页 |
5.2.3 二极管触发SCR结构 | 第60-62页 |
5.2.4 GGNMOS触发SCR结构(GGSCR) | 第62-63页 |
5.3 SCR外部触发单元MOS管设计 | 第63-70页 |
5.3.1 新型GGNMOS器件结构设计与分析 | 第63-68页 |
5.3.2 新型PMOS器件结构设计 | 第68-70页 |
5.4 新型MOS器件触发SCR | 第70-71页 |
5.5 本章小结 | 第71-72页 |
第六章 全文总结与展望 | 第72-74页 |
6.1 全文总结 | 第72页 |
6.2 后续工作展望 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第79-80页 |