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基于SCR的ESD保护器件研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第10-15页
    1.1 研究工作的背景与意义第10-11页
    1.2 ESD保护历史与国内外研究现状第11-13页
    1.3 本文的主要工作内容第13-14页
    1.4 本论文的结构安排第14-15页
第二章 ESD保护理论第15-31页
    2.1 ESD放电模式第15-18页
        2.1.1 人体放电模式(Human Body Model, HBM)第15-16页
        2.1.2 机器放电模式(Machine Model, MM)第16-17页
        2.1.3 器件充电放电模式(Charged-Device Model, CDM)第17-18页
    2.2 传输线脉冲测试仪(Transmission Line Pulse,TLP)第18-20页
    2.3 常见ESD失效方式第20-22页
        2.3.1 毁坏性失效第20-21页
        2.3.2 潜在性失效第21-22页
    2.4 ESD设计窗口第22-26页
        2.4.1 两种ESD保护器件的I-V特性第22-23页
        2.4.2 ESD设计窗口概述第23-25页
        2.4.3 理想的ESD保护器件第25-26页
    2.5 全芯片ESD保护第26-30页
        2.5.1 ESD保护设计方案第28-29页
        2.5.2 优秀ESD保护的特点第29-30页
    2.6 本章小结第30-31页
第三章 常规ESD保护器件第31-45页
    3.1 二极管第31-35页
        3.1.1 理想二极管物理分析第31-32页
        3.1.2 二极管结构第32-33页
        3.1.3 二极管的版图设计第33-34页
        3.1.4 二极管在ESD保护中的应用第34-35页
    3.2 BJT晶体管第35-38页
        3.2.1 BJT原理第35-36页
        3.2.2 ESD下BJT工作原理第36-38页
    3.3 MOS晶体管第38-41页
        3.3.1 NMOS工作方式第39-40页
        3.3.2 栅极接地NMOS(Grounded Gate NMOS,GGNMOS)第40-41页
    3.4 可控硅SCR第41-44页
    3.5 本章小结第44-45页
第四章 双向SCR器件第45-59页
    4.1 单向ESD保护器件面临的困境第45-46页
    4.2 经典双向ESD保护第46-49页
        4.2.1 串联二极管双向ESD保护第46-48页
        4.2.2 串联SCR双向ESD保护第48-49页
        4.2.3 双向SCR器件保护第49页
    4.3 新型双向SCR器件原理第49-51页
    4.4 新型双向SCR的TLP测试结果与分析第51-53页
        4.4.1 参数D3对新型双向SCR的影响第51-52页
        4.4.2 参数D1对新型双向SCR的影响第52页
        4.4.3 参数D2对新型双向SCR的影响第52-53页
    4.5 新型双向SCR在高压电路ESD保护中的应用第53-58页
        4.5.1 串联ESD保护结构第54-56页
        4.5.2 串联新型双向SCR保护结构第56-58页
    4.6 本章小结第58-59页
第五章 SCR外部触发单元设计第59-72页
    5.1 引言第59页
    5.2 降低SCR开启电压的方法第59-63页
        5.2.1 MLSCR(Modified Lateral SCR)结构第59-60页
        5.2.2 LVTSCR(Low-Voltage triggering SCR)结构第60页
        5.2.3 二极管触发SCR结构第60-62页
        5.2.4 GGNMOS触发SCR结构(GGSCR)第62-63页
    5.3 SCR外部触发单元MOS管设计第63-70页
        5.3.1 新型GGNMOS器件结构设计与分析第63-68页
        5.3.2 新型PMOS器件结构设计第68-70页
    5.4 新型MOS器件触发SCR第70-71页
    5.5 本章小结第71-72页
第六章 全文总结与展望第72-74页
    6.1 全文总结第72页
    6.2 后续工作展望第72-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-79页
攻读硕士学位期间取得的成果第79-80页

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