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ULSI金属线间桥连缺陷的定位方法的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
引言第6-7页
第一章 绪论第7-15页
    第一节 半导体产业的发展第7-8页
    第二节 半导体中的金属互连第8-10页
    第三节 失效定位的应用第10-13页
    第四节 本课题的重要意义第13-14页
    第五节 小结第14-15页
第二章 半导体工艺中的金属互连技术第15-20页
    第一节 金属互连的意义和发展第15-16页
    第二节 金属互连工艺过程第16-17页
    第三节 金属互连间的桥连缺陷第17-19页
    第四节 小结第19-20页
第三章 常用物理失效定位技术第20-38页
    第一节 光学显微镜第20-23页
    第二节 扫描电子显微镜第23-26页
    第三节 聚焦离子束显微镜第26-32页
    第四节 光致阻抗变化技术第32-34页
    第五节 发光显微镜第34-36页
    第六节 其他定位技术第36-37页
    第七节 小结第37-38页
第四章 金属线间桥连缺陷的定位方法研究第38-59页
    第一节 电压衬度成像技术研究第38-40页
    第二节 样品剥层技术的应用第40-42页
    第三节 物理解析技术第42-45页
    第四节 PCM结构中的大型桥连缺陷的定位第45-47页
    第五节 PCM结构中的异常TCR小型缺陷定位第47-48页
    第六节 PCM结构中的近似TCR小型缺陷定位第48-51页
    第七节 引起芯片短路、漏电的桥连缺陷的定位第51-54页
    第八节 芯片存储器单元内桥连缺陷的定位第54-57页
    第九节 EMMI定位桥连缺陷的研究第57-58页
    第十节 小结第58-59页
第五章 总结第59-60页
参考文献第60-62页
致谢第62-63页

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