| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| 1.1 半导体产业介绍 | 第9-10页 |
| 1.1.1 什么是半导体 | 第9页 |
| 1.1.2 半导体产业的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体工艺流程 | 第10-13页 |
| 1.2.1 设计 | 第11页 |
| 1.2.2 光刻版制作 | 第11-12页 |
| 1.2.3 硅片制造 | 第12页 |
| 1.2.4 晶片制作 | 第12-13页 |
| 1.2.5 测试与封装 | 第13页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 光刻版工艺 | 第15-27页 |
| 2.1 光刻版的分类 | 第15-18页 |
| 2.1.1 按照光刻版尺寸及厚度分 | 第15页 |
| 2.1.2 按光刻版图案缩放比例分 | 第15页 |
| 2.1.3 按光刻版遮光层金属类型分 | 第15-16页 |
| 2.1.4 按光刻版基底原材料分 | 第16-17页 |
| 2.1.5 按光刻版有无保护膜分 | 第17-18页 |
| 2.2 光刻版的制作工艺 | 第18-27页 |
| 2.2.1 客户数据接收 | 第19-20页 |
| 2.2.2 客户数据处理 | 第20-22页 |
| 2.2.3 光刻版曝光 | 第22页 |
| 2.2.4 光刻版化学制程 | 第22-23页 |
| 2.2.5 光刻版尺寸量测 | 第23页 |
| 2.2.6 光刻版缺陷检查 | 第23-25页 |
| 2.2.7 光刻版缺陷修补 | 第25-26页 |
| 2.2.8 清洗包装 | 第26-27页 |
| 第三章 硅片制造工艺 | 第27-35页 |
| 3.1 提炼半导体级硅（SGS） | 第27-28页 |
| 3.2 制作单晶硅锭 | 第28-31页 |
| 3.2.1 直拉法（CZ：Czochralski） | 第29-30页 |
| 3.2.2 区熔法（FZ：Float Zone） | 第30-31页 |
| 3.2.3 直拉法和区熔法的比较 | 第31页 |
| 3.3 硅片制备 | 第31-35页 |
| 3.3.1 整形处理 | 第31-32页 |
| 3.3.2 切片 | 第32页 |
| 3.3.3 磨片和倒角 | 第32-33页 |
| 3.3.4 刻蚀 | 第33页 |
| 3.3.5 抛光 | 第33-34页 |
| 3.3.6 清洗 | 第34页 |
| 3.3.7 硅片评估 | 第34页 |
| 3.3.8 包装和运输 | 第34-35页 |
| 第四章 光刻工艺 | 第35-62页 |
| 4.1 光刻的概念 | 第35页 |
| 4.2 光刻的基本过程 | 第35-46页 |
| 4.2.1 表面预处理 | 第35-37页 |
| 4.2.2 匀胶 | 第37-41页 |
| 4.2.3 匀胶后烘 | 第41-42页 |
| 4.2.4 对准和曝光 | 第42页 |
| 4.2.5 曝光后烘培 | 第42-44页 |
| 4.2.6 显影 | 第44-45页 |
| 4.2.7 显影后检查 | 第45-46页 |
| 4.2.8 坚膜烘培 | 第46页 |
| 4.3 光刻胶介绍 | 第46-52页 |
| 4.3.1 光刻胶的成分 | 第47-48页 |
| 4.3.2 光刻胶的特性 | 第48-49页 |
| 4.3.3 光刻胶的光反应原理 | 第49-52页 |
| 4.4 曝光工艺 | 第52-62页 |
| 4.4.1 曝光工艺的关键参数 | 第52-54页 |
| 4.4.2 曝光光源的选择 | 第54-57页 |
| 4.4.3 光刻设备的发展 | 第57-59页 |
| 4.4.4 光刻分辨率提高技术 | 第59-62页 |
| 第五章 刻蚀工艺 | 第62-69页 |
| 5.1 刻蚀工艺的关键参数 | 第62-65页 |
| 5.1.1 刻蚀速率 | 第62页 |
| 5.1.2 刻蚀均匀性 | 第62-63页 |
| 5.1.3 刻蚀剖面 | 第63-64页 |
| 5.1.4 刻蚀偏差 | 第64-65页 |
| 5.1.5 选择比 | 第65页 |
| 5.2 干法刻蚀 | 第65-66页 |
| 5.3 湿法刻蚀 | 第66-67页 |
| 5.4 去除光刻胶 | 第67-69页 |
| 5.4.1 湿法去胶 | 第67-68页 |
| 5.4.2 干法去胶 | 第68-69页 |
| 第六章 金属化工艺 | 第69-73页 |
| 6.1 蒸发 | 第69-70页 |
| 6.2 溅射 | 第70页 |
| 6.3 金属CVD | 第70-71页 |
| 6.4 电镀 | 第71-73页 |
| 第七章 氧化工艺 | 第73-77页 |
| 7.1 氧化层的用途 | 第73页 |
| 7.2 氧化层的生长方式 | 第73-74页 |
| 7.3 氧化层的生长阶段 | 第74页 |
| 7.4 影响氧化物生长的因素 | 第74-75页 |
| 7.4.1 掺杂效应 | 第74-75页 |
| 7.4.2 晶向 | 第75页 |
| 7.4.3 压力效应 | 第75页 |
| 7.4.4 等离子增强 | 第75页 |
| 7.5 高温炉设备 | 第75-76页 |
| 7.6 氧化工艺 | 第76-77页 |
| 第八章 光刻胶剥离工艺 | 第77-81页 |
| 8.1 光刻胶剥离工艺流程 | 第77-80页 |
| 8.1.1 氯苯浸泡法 | 第78页 |
| 8.1.2 图像反转法 | 第78-79页 |
| 8.1.3 负性光刻胶法 | 第79页 |
| 8.1.4 多层掩膜剥离法 | 第79-80页 |
| 8.2 光刻胶剥离工艺的常见缺陷 | 第80-81页 |
| 第九章 负性光刻胶剥离工艺优化 | 第81-96页 |
| 9.1 实验背景 | 第81-82页 |
| 9.2 当前光刻胶剥离工艺存在的缺陷 | 第82-84页 |
| 9.2.1 硅片边缘光刻胶剥离残留 | 第82页 |
| 9.2.2 硅片边缘红色印记 | 第82-83页 |
| 9.2.3 硅片图案中间剥离残留 | 第83页 |
| 9.2.4 硅片表面反沾 | 第83-84页 |
| 9.2.5 图案边缘金丝残留 | 第84页 |
| 9.3 剥离工艺优化 | 第84-95页 |
| 9.3.1 调整涂胶工艺，解决硅片边缘剥离异常 | 第84-86页 |
| 9.3.2 调整清洗流程，解决红色印记 | 第86页 |
| 9.3.3 规范并优化超声工艺，解决图案中间剥离残留 | 第86-88页 |
| 9.3.4 增加水枪冲洗，去除反沾缺陷 | 第88-89页 |
| 9.3.5 优化光刻工艺，调整光刻胶形貌 | 第89-92页 |
| 9.3.6 优化溅射工艺，调整溅射角度 | 第92-94页 |
| 9.3.7 优化光刻烘烤工艺，解决金丝残留缺陷 | 第94-95页 |
| 9.4 总结 | 第95-96页 |
| 第十章 总结与展望 | 第96-97页 |
| 10.1 全文总结 | 第96页 |
| 10.2 工作展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |