| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号表 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-23页 |
| §1-1 课题研究的背景和意义 | 第13-15页 |
| §1-2 AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的发展现状 | 第15-20页 |
| §1-3 本文的研究内容和安排 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的基本原理 | 第23-44页 |
| §2-1 金属—半导体接触基本理论 | 第23-28页 |
| §2-1-1 欧姆接触 | 第24页 |
| §2-1-2 肖特基接触 | 第24-28页 |
| §2-2 肖特基势垒的电流传输机制 | 第28-31页 |
| §2-3 肖特基二极管中相关参数的提取 | 第31-33页 |
| §2-3-1 Ⅰ-Ⅴ提取势垒高度 | 第31-32页 |
| §2.3.2 C-V提取势垒高度 | 第32-33页 |
| §2-4 肖特基浮动金属环 | 第33-38页 |
| §2-5 双二极管模型 | 第38-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 器件的制备与测试 | 第44-57页 |
| §3-1 AlGaN/GaN异质结构材料的生长 | 第44-46页 |
| §3-1-1 AlGaN/GaN异质材料衬底 | 第44页 |
| §3-1-2 AlGaN/GaN异质结构材料的外延生长技术 | 第44-46页 |
| §3-2 器件制作流程 | 第46-49页 |
| §3-2-1 器件版图结构 | 第46-48页 |
| §3-2-2 欧姆接触和肖特基接触的制作 | 第48-49页 |
| §3-3 器件参数测试 | 第49-56页 |
| §3-3-1 电容-电压(C-V)测试 | 第49-53页 |
| §3-3-2 电流-电压(I-V)测试 | 第53-54页 |
| §3-3-3 串联电阻的计算方法 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 肖特基浮动金属环对肖特基二极管性能影响研究 | 第57-66页 |
| §4-1 一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解 | 第57-58页 |
| §4-2 肖特基浮动金属环对器件正向特性的影响 | 第58-64页 |
| §4-2-1 对C-V特性曲线计算分析 | 第58-61页 |
| §4-2-2 对I-V特性曲线的计算分析 | 第61-62页 |
| §4-2-3 对器件串联电阻的计算 | 第62-63页 |
| §4-2-4 肖特基浮动金属环对势垒高度的影响 | 第63页 |
| §4-2-5 肖特基浮动金属环对极化电荷密度的影响 | 第63-64页 |
| §4-3 肖特基浮动金属环对肖特基二极管反向特性的影响 | 第64-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第69页 |
