| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 引言 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·砷化镓MMIC的应用背景 | 第9-10页 |
| ·GaAs HBT和pHEMT工艺的现状 | 第10-13页 |
| ·GaAs工艺的问题和难点 | 第13-14页 |
| ·选题目的和意义 | 第14页 |
| ·论文的研究内容和结构 | 第14-15页 |
| 第2章 砷化镓HBT、pHEMT器件的制造工艺 | 第15-25页 |
| ·GaAs HBT、pHEMT与CMOS工艺特点的比较 | 第15-18页 |
| ·技术节点的比较 | 第15-16页 |
| ·工艺方法的比较 | 第16-18页 |
| ·GaAs HBT、pHEMT的工艺过程 | 第18-23页 |
| ·HBT的工艺过程 | 第18-20页 |
| ·pHEMT的工艺过程 | 第20-23页 |
| ·空气桥 | 第23-25页 |
| ·空气桥的作用 | 第23-24页 |
| ·空气桥的制作过程 | 第24-25页 |
| 第3章 pHEMT单刀九掷开关器件低良品率分析和改善 | 第25-42页 |
| ·SP9T开关器件的结构与功能 | 第25-26页 |
| ·结构框图及控制逻辑 | 第25-26页 |
| ·流片要求及封装形式 | 第26页 |
| ·良品率异常的表现及与封装相关的工艺数据分析 | 第26-29页 |
| ·测试数据分析 | 第26-27页 |
| ·封装打线工艺分析 | 第27-29页 |
| ·可靠性试验和失效分析 | 第29-36页 |
| ·芯片端口设置及内部控制逻辑 | 第29-30页 |
| ·可靠性试验 | 第30-31页 |
| ·EMMI分析 | 第31-32页 |
| ·DC分析 | 第32-33页 |
| ·OBIRCH Hot Spot分析 | 第33-35页 |
| ·FIB断面分析 | 第35-36页 |
| ·失效分析的结论和失效机理 | 第36-38页 |
| ·失效分析结论 | 第36-37页 |
| ·缺陷形成的原因和失效机理 | 第37-38页 |
| ·版图分析 | 第38-42页 |
| ·电路原理图 | 第38-39页 |
| ·版图设计与缺陷的相关性 | 第39-40页 |
| ·版图的改善 | 第40页 |
| ·设计规则的修订 | 第40-42页 |
| 第4章 HBT器件与剥离、通孔工艺相关的低良率分析 | 第42-54页 |
| ·剥离工艺(Lift-off)的不良分析 | 第42-45页 |
| ·Lift-off的工艺过程 | 第42-43页 |
| ·Lift-off工艺缺陷的成因 | 第43-45页 |
| ·Lift-off工艺缺陷的改善 | 第45页 |
| ·HBT器件背孔不良的分析与改善 | 第45-48页 |
| ·DC分析 | 第45-46页 |
| ·背孔断面分析 | 第46-47页 |
| ·背孔的制作过程 | 第47-48页 |
| ·背孔工艺不良的原因和优化 | 第48页 |
| ·HBT功率放大器低增益不良的分析 | 第48-54页 |
| ·DC分析 | 第48-50页 |
| ·FIB断面分析 | 第50-51页 |
| ·通孔接触不良的形成原因 | 第51-53页 |
| ·通孔不良的改善和设计规则的优化 | 第53-54页 |
| 第5章 结论与总结 | 第54-57页 |
| ·论文研究的结论与总结 | 第54-55页 |
| ·从工艺角度控制良品率 | 第55-56页 |
| ·从设计角度改善良品率 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
