| 摘 要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| ·SOI 技术的发展概况 | 第10-11页 |
| ·SOI 材料制备技术 | 第11-13页 |
| ·智能切割技术（Smart Cut） | 第11页 |
| ·氧注入隔离技术(SIMOX) | 第11-12页 |
| ·硅片直接键合法技术(SDB) | 第12页 |
| ·外延层转移技术(ELTRAN） | 第12-13页 |
| ·SOI 高压器件的研究现状 | 第13-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 阶梯掺杂漂移区 SOI LDMOS 理论基础 | 第16-26页 |
| ·RESURF 技术发展 | 第16-18页 |
| ·阶梯掺杂漂移区 SOI 高压器件二维电场分布模型 | 第18-19页 |
| ·阶梯掺杂漂移区SOI 高压器件的耐压分析 | 第19-26页 |
| ·击穿特性研究 | 第19-21页 |
| ·杂质分布的优化 | 第21-23页 |
| ·最优阶梯数判据 | 第23-26页 |
| 第三章 阶梯掺杂漂移区 SOI LDMOS 的设计与优化 | 第26-39页 |
| ·器件结构 | 第26页 |
| ·器件仿真结果与分析 | 第26-32页 |
| ·器件参数对击穿电压的影响 | 第27-30页 |
| ·器件参数对导通电阻的影响 | 第30-32页 |
| ·小节 | 第32页 |
| ·工艺模拟仿真 | 第32-37页 |
| ·工艺容差分析 | 第37-38页 |
| ·本章小节 | 第38-39页 |
| 第四章 阶梯掺杂漂移区 SOI LDMOS 制备与结果 | 第39-51页 |
| ·SOI 材料的制备实验与结果分析 | 第39-41页 |
| ·SOI 阶梯掺杂LDMOS 的版图设计 | 第41-42页 |
| ·SOI 阶梯掺杂LDMOS 的制备实验 | 第42-44页 |
| ·SOI 阶梯掺杂LDMOS 的实验结果及分析 | 第44-50页 |
| ·本章小节 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第57-58页 |
| 个人简历 | 第58页 |
