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提高GLSI多层铜布线粗抛平坦化性能的研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 集成电路的发展趋势第10页
    1.2 多层铜互连技术与双大马士革工艺第10-12页
    1.3 化学机械平坦化技术及发展趋势第12-13页
    1.4 粗抛在化学机械平坦化中的作用和技术难题第13-14页
    1.5 课题来源及研究内容第14-16页
第二章 多层铜布线粗抛平坦化理论第16-20页
    2.1 动力学过程第16-17页
    2.2 优先吸附理论第17-18页
    2.3 自钝化理论第18页
    2.4 粗抛平坦化理论第18-20页
第三章 粗抛平坦化实验设备及材料第20-28页
    3.1 实验设备第20-23页
        3.1.1 抛光机第20-21页
        3.1.2 抛光垫第21页
        3.1.3 电子分析天平第21-22页
        3.1.4 XP-300台阶仪第22页
        3.1.5 原子力显微镜(AFM)第22-23页
        3.1.6 CHI600电化学工作站第23页
    3.2 实验材料分析第23-28页
        3.2.1 磨料选择分析第23-24页
        3.2.2 FA/O型螯合剂选择分析第24-25页
        3.2.3 非离子表面活性剂选择分析第25-26页
        3.2.4 氧化剂选择分析第26页
        3.2.5 抛光片第26-28页
第四章 粗抛液各组分和工艺对铜膜粗抛速率的影响第28-36页
    4.1 实验条件第28页
    4.2 粗抛液各组分对铜膜粗抛速率的影响第28-32页
        4.2.1 纳米SiO2水溶胶对Cu粗抛速率的影响第28-29页
        4.2.2 FA/OⅡ型螯合剂对Cu粗抛速率的影响第29-30页
        4.2.3 H_2O_2对Cu粗抛速率的影响第30-31页
        4.2.4 非离子活性剂对Cu粗抛速率的影响第31-32页
    4.3 工艺对粗抛速率的影响第32-35页
        4.3.1 压力对Cu粗抛速率的影响第32-33页
        4.3.2 转速对Cu粗抛速率的影响第33-34页
        4.3.3 流量对Cu粗抛速率的影响第34-35页
    4.4 小结第35-36页
第五章 GLSI多层铜布线碱性粗抛液各组分对表面平坦化的影响第36-50页
    5.1 实验条件第36-37页
    5.2 H_2O_2对粗抛表面平坦化的影响第37-41页
        5.2.1 H_2O_2对静态腐蚀速率的影响第37-38页
        5.2.2 H_2O_2对铜膜的电化学特性的影响第38-40页
        5.2.3 H_2O_2对表面平坦化的影响第40-41页
    5.3 铜粗抛液中FA/OⅡ型螯合剂对平坦化的影响第41-44页
        5.3.1 FA/OⅡ型螯合剂对静态腐蚀速率的影响第41-42页
        5.3.2 FA/OⅡ型螯合剂对铜膜电化学曲线的影响第42-43页
        5.3.3 FA/OⅡ型螯合剂对平坦化的影响第43-44页
    5.4 粗抛液中非离子表面活性剂对平坦化的影响第44-47页
        5.4.1 FA/OⅠ型非离子活性剂对静态腐蚀速率的影响第44-45页
        5.4.2 FA/OⅠ型非离子活性剂对铜膜电化学曲线的影响第45-46页
        5.4.3 FA/OⅠ型非离子活性剂对平坦化的影响第46-47页
    5.5 粗抛液中磨料对平坦化的影响第47-48页
        5.5.1 磨料对静态腐蚀速率的影响第47页
        5.5.2 磨料对平坦化性能的影响第47-48页
    5.6 小结第48-50页
第六章 新型GLSI多层铜布线碱性粗抛液平坦化性能的研究第50-54页
    6.1 实验条件第50页
    6.2 新型粗抛液对铜膜表面平坦化的实验研究第50-53页
        6.2.1 碱性粗抛液对铜膜表面一致性的影响第50-51页
        6.2.2 碱性粗抛液对铜膜表面平坦化性能的影响第51-52页
        6.2.3 碱性粗抛液对铜膜抛后表面状态的影响第52-53页
    6.3 小结第53-54页
结论第54-56页
创新点第56-58页
参考文献第58-64页
攻读硕士学位期间所取得的科研成果第64-66页
致谢第66页

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