摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 集成电路的发展趋势 | 第10页 |
1.2 多层铜互连技术与双大马士革工艺 | 第10-12页 |
1.3 化学机械平坦化技术及发展趋势 | 第12-13页 |
1.4 粗抛在化学机械平坦化中的作用和技术难题 | 第13-14页 |
1.5 课题来源及研究内容 | 第14-16页 |
第二章 多层铜布线粗抛平坦化理论 | 第16-20页 |
2.1 动力学过程 | 第16-17页 |
2.2 优先吸附理论 | 第17-18页 |
2.3 自钝化理论 | 第18页 |
2.4 粗抛平坦化理论 | 第18-20页 |
第三章 粗抛平坦化实验设备及材料 | 第20-28页 |
3.1 实验设备 | 第20-23页 |
3.1.1 抛光机 | 第20-21页 |
3.1.2 抛光垫 | 第21页 |
3.1.3 电子分析天平 | 第21-22页 |
3.1.4 XP-300台阶仪 | 第22页 |
3.1.5 原子力显微镜(AFM) | 第22-23页 |
3.1.6 CHI600电化学工作站 | 第23页 |
3.2 实验材料分析 | 第23-28页 |
3.2.1 磨料选择分析 | 第23-24页 |
3.2.2 FA/O型螯合剂选择分析 | 第24-25页 |
3.2.3 非离子表面活性剂选择分析 | 第25-26页 |
3.2.4 氧化剂选择分析 | 第26页 |
3.2.5 抛光片 | 第26-28页 |
第四章 粗抛液各组分和工艺对铜膜粗抛速率的影响 | 第28-36页 |
4.1 实验条件 | 第28页 |
4.2 粗抛液各组分对铜膜粗抛速率的影响 | 第28-32页 |
4.2.1 纳米SiO2水溶胶对Cu粗抛速率的影响 | 第28-29页 |
4.2.2 FA/OⅡ型螯合剂对Cu粗抛速率的影响 | 第29-30页 |
4.2.3 H_2O_2对Cu粗抛速率的影响 | 第30-31页 |
4.2.4 非离子活性剂对Cu粗抛速率的影响 | 第31-32页 |
4.3 工艺对粗抛速率的影响 | 第32-35页 |
4.3.1 压力对Cu粗抛速率的影响 | 第32-33页 |
4.3.2 转速对Cu粗抛速率的影响 | 第33-34页 |
4.3.3 流量对Cu粗抛速率的影响 | 第34-35页 |
4.4 小结 | 第35-36页 |
第五章 GLSI多层铜布线碱性粗抛液各组分对表面平坦化的影响 | 第36-50页 |
5.1 实验条件 | 第36-37页 |
5.2 H_2O_2对粗抛表面平坦化的影响 | 第37-41页 |
5.2.1 H_2O_2对静态腐蚀速率的影响 | 第37-38页 |
5.2.2 H_2O_2对铜膜的电化学特性的影响 | 第38-40页 |
5.2.3 H_2O_2对表面平坦化的影响 | 第40-41页 |
5.3 铜粗抛液中FA/OⅡ型螯合剂对平坦化的影响 | 第41-44页 |
5.3.1 FA/OⅡ型螯合剂对静态腐蚀速率的影响 | 第41-42页 |
5.3.2 FA/OⅡ型螯合剂对铜膜电化学曲线的影响 | 第42-43页 |
5.3.3 FA/OⅡ型螯合剂对平坦化的影响 | 第43-44页 |
5.4 粗抛液中非离子表面活性剂对平坦化的影响 | 第44-47页 |
5.4.1 FA/OⅠ型非离子活性剂对静态腐蚀速率的影响 | 第44-45页 |
5.4.2 FA/OⅠ型非离子活性剂对铜膜电化学曲线的影响 | 第45-46页 |
5.4.3 FA/OⅠ型非离子活性剂对平坦化的影响 | 第46-47页 |
5.5 粗抛液中磨料对平坦化的影响 | 第47-48页 |
5.5.1 磨料对静态腐蚀速率的影响 | 第47页 |
5.5.2 磨料对平坦化性能的影响 | 第47-48页 |
5.6 小结 | 第48-50页 |
第六章 新型GLSI多层铜布线碱性粗抛液平坦化性能的研究 | 第50-54页 |
6.1 实验条件 | 第50页 |
6.2 新型粗抛液对铜膜表面平坦化的实验研究 | 第50-53页 |
6.2.1 碱性粗抛液对铜膜表面一致性的影响 | 第50-51页 |
6.2.2 碱性粗抛液对铜膜表面平坦化性能的影响 | 第51-52页 |
6.2.3 碱性粗抛液对铜膜抛后表面状态的影响 | 第52-53页 |
6.3 小结 | 第53-54页 |
结论 | 第54-56页 |
创新点 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-64页 |
攻读硕士学位期间所取得的科研成果 | 第64-66页 |
致谢 | 第66页 |