| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第11-12页 |
| 1.3 高压工艺ESD保护设计的困难及挑战 | 第12页 |
| 1.4 论文的主要内容和结构安排 | 第12-15页 |
| 第二章 ESD保护的基础理论 | 第15-36页 |
| 2.1 ESD的概念 | 第15页 |
| 2.2 ESD物理模型以及测试模型 | 第15-19页 |
| 2.2.1 人体模型HBM | 第15-16页 |
| 2.2.2 机器模型MM | 第16页 |
| 2.2.3 器件充电模型CDM | 第16-17页 |
| 2.2.4 传输线模型TLP | 第17-19页 |
| 2.2.5 IEC测试模型 | 第19页 |
| 2.3 传统ESD保护器件特性研究 | 第19-28页 |
| 2.3.1 二极管 | 第19-21页 |
| 2.3.2 BJT | 第21页 |
| 2.3.3 MOS管 | 第21-27页 |
| 2.3.4 SCR | 第27-28页 |
| 2.4 抗闩锁ESD保护器件特性研究 | 第28-35页 |
| 2.4.1 发射极分割结构增加维持电压 | 第29-31页 |
| 2.4.2 堆叠结构增加维持电压 | 第31-32页 |
| 2.4.3 栅极控制结构增加维持电压 | 第32-34页 |
| 2.4.4 PMOS管触发HVSCR增加触发电流 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 基于BCD工艺的ESD器件设计与分析 | 第36-56页 |
| 3.1 高压器件ESD防护理论研究 | 第36-39页 |
| 3.1.1 Kirk效应对高压ESD保护器件的影响 | 第36-38页 |
| 3.1.2 高压ESD器件的设计窗口 | 第38-39页 |
| 3.2 LDMOS-SCR器件设计与分析 | 第39-42页 |
| 3.2.1 NLDMOS器件 | 第39-40页 |
| 3.2.2 LDMOS-SCR器件 | 第40-42页 |
| 3.3 自触发堆叠SCR器件设计与分析 | 第42-54页 |
| 3.3.1 传统堆叠SCR器件 | 第42-43页 |
| 3.3.2 STSSCR的结构及工作机理 | 第43-45页 |
| 3.3.3 STSSCR的仿真结果 | 第45-49页 |
| 3.3.4 STSSCR的测试结果 | 第49-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 基于BJT工艺的ESD全芯片保护设计 | 第56-72页 |
| 4.1 ESD保护网络概述 | 第56-59页 |
| 4.1.1 基于电源轨的保护网络 | 第56-58页 |
| 4.1.2 多电源域的保护网络 | 第58-59页 |
| 4.2 12VBJT工艺简介 | 第59-60页 |
| 4.3 ESD单体器件设计与分析 | 第60-67页 |
| 4.3.1 高压工艺二极管 | 第60-63页 |
| 4.3.2 高压工艺SCR | 第63-67页 |
| 4.3.3 高压工艺BJT | 第67页 |
| 4.4 全芯片防护方案设计与分析 | 第67-71页 |
| 4.4.1 全芯片方案设计 | 第67-68页 |
| 4.4.2 全芯片ESD测试结果及分析 | 第68-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第80页 |