| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题来源及意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 课题来源 | 第9页 |
| 1.1.2 课题意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第10-16页 |
| 1.2.1 非球面抛光技术国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.2 单晶硅材料抛光技术国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 国内外文献综述的简析 | 第15-16页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 轮式抛光平台的搭建 | 第18-34页 |
| 2.1 轮式抛光工具调整台设计 | 第18-21页 |
| 2.1.1 微位移调整台结构设计 | 第19-20页 |
| 2.1.2 微位移调整台静力学有限元分析 | 第20-21页 |
| 2.2 B轴上抛光轮安装偏置误差分析及加工实验 | 第21-30页 |
| 2.2.1 B轴上抛光轮安装偏置误差理论分析 | 第21-23页 |
| 2.2.2 B轴上抛光轮安装偏置误差测量方式 | 第23-24页 |
| 2.2.3 B轴上抛光轮安装偏置误差实验验证 | 第24-30页 |
| 2.3 抛光轮修整方案设计及实验 | 第30-32页 |
| 2.3.1 修整块在位修整 | 第30-31页 |
| 2.3.2 成型刀在位修整 | 第31-32页 |
| 2.3.3 离线超精密车削修整方式 | 第32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 轮式抛光去除特性分析及去除函数的建立 | 第34-41页 |
| 3.1 轮式抛光接触情况分析及压力分布 | 第34-36页 |
| 3.2 轮式抛光局部去除函数理论模型建立及仿真分析 | 第36-39页 |
| 3.2.1 接触区域相对速度确定 | 第37-38页 |
| 3.2.2 轮式抛光技术平面加工情况仿真分析 | 第38-39页 |
| 3.3 广义形式的Preston方程 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 抛光工艺实验研究 | 第41-64页 |
| 4.1 轮式抛光的加工特性与影响因素研究 | 第41-49页 |
| 4.1.1 获取实验模型的实验方式 | 第41-42页 |
| 4.1.2 单因素定点点坑抛光工艺实验 | 第42-49页 |
| 4.2 去除函数实验模型建立 | 第49-55页 |
| 4.2.1 实验接触模型修正 | 第49-52页 |
| 4.2.2 广义Preston方程参数的确定 | 第52-55页 |
| 4.3 轮式抛光工艺参数对单晶硅材料去除特性的影响 | 第55-63页 |
| 4.3.1 实验方案设计 | 第56-57页 |
| 4.3.2 工艺参数对去除效率的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.3 工艺参数对表面粗糙度的影响 | 第60-61页 |
| 4.3.4 单晶硅抛光工艺参数优选 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 单晶硅的抛光修形加工实验 | 第64-74页 |
| 5.1 驻留时间求解 | 第64-66页 |
| 5.2 等时间等间距连续环抛仿真及加工实验 | 第66页 |
| 5.3 单晶硅的抛光加工实验 | 第66-73页 |
| 5.3.1 单晶硅平面抛光实验 | 第66-69页 |
| 5.3.2 单晶硅的球面加工实验 | 第69-70页 |
| 5.3.3 单晶硅的非球面加工实验 | 第70-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |