首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文--晶体管:按性能分论文

IGBT老化特性的仿真与实验研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-14页
    1.1 研究背景及意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-13页
        1.2.1 电力电子设备可靠性分析的研究现状第9-11页
        1.2.2 IGBT老化分析的研究现状第11-13页
    1.3 本文研究内容第13-14页
第2章 基于结温测量的IGBT老化状态监测方法研究第14-29页
    2.1 IGBT的基本结构和老化原理第14-17页
        2.1.1 IGBT的基本结构第14-15页
        2.1.2 老化失效机理分析第15-17页
    2.2 温度对物理参数的影响第17-21页
        2.2.1 开关速度第17-20页
        2.2.2 阈值电压第20-21页
        2.2.3 通态压降第21页
    2.3 基于导通压降的温敏参数测量法第21-28页
        2.3.1 基于传统温敏参数法的改进方法第21-22页
        2.3.2 改进TSP法的仿真分析第22-27页
        2.3.3 改进TSP法的实验验证第27-28页
    2.4 本章小结第28-29页
第3章 IGBT老化过程的建模及仿真分析第29-40页
    3.1 IGBT的电气模型第29-34页
        3.1.1 IGBT等效电路第29-31页
        3.1.2 模型参数提取第31-34页
    3.2 模型的有效性验证第34-36页
    3.3 IGBT的老化过程仿真第36-39页
    3.4 本章小结第39-40页
第4章 IGBT加速老化实验设计第40-52页
    4.1 加速老化实验平台的设计第40-42页
    4.2 恒温加速老化实验第42-44页
    4.3 变温加速老化实验第44-46页
    4.4 老化对IGBT特性参数的影响分析第46-50页
        4.4.1 IGBT主要特性参数变化第46-48页
        4.4.2 IGBT开通关断速度变化第48-49页
        4.4.3 IGBT热阻的变化第49-50页
    4.5 本章小结第50-52页
第5章 IGBT老化对全桥逆变器的影响分析第52-60页
    5.1 实验电路的设计第52-54页
    5.2 IGBT老化对电路影响的仿真分析第54-56页
    5.3 IGBT老化对电路影响的实验分析第56-58页
    5.4 本章小结第58-60页
结论第60-61页
参考文献第61-67页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第67-69页
致谢第69页

论文共69页,点击 下载论文
上一篇:单晶硅非球面抛光工艺实验研究
下一篇:低压电力载波通信与电网及电机类家电电磁兼容性研究