深亚微米集成电路互连电阻异常分析及其解决方法
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-19页 |
| 第一节 CMOS工艺步骤介绍 | 第5-12页 |
| 第二节 自对准硅化物工艺介绍 | 第12-13页 |
| 第三节 溅射过程介绍 | 第13-15页 |
| 第四节 化学气相淀积金属钨介绍 | 第15-16页 |
| 第五节 钨薄膜所需要具备的膜特性 | 第16-18页 |
| 第六节 本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 实验 | 第19-22页 |
| 第一节 物理气相淀积金属钻机台介绍 | 第19-20页 |
| 第二节 化学气相淀积金属钨制程和机台介绍 | 第20-22页 |
| 第三章 硅化钴薄层电阻异常的研究和解决方案 | 第22-37页 |
| 第一节 钴靶材末期硅化钴薄层电阻偏高 | 第22-23页 |
| 第二节 寻找薄层电阻偏高现象原因 | 第23-26页 |
| 第三节 结论及解决方案 | 第26-29页 |
| 第四节 单片产品硅化钴薄层电阻异常 | 第29-30页 |
| 第五节 原因分析及解决方法 | 第30-37页 |
| 第四章 钨塞接触电阻异常的研究和解决方案 | 第37-49页 |
| 第一节 钨机台清洗腔体后第一片产品阻值高 | 第37-38页 |
| 第二节 原因分析及实验结果 | 第38-41页 |
| 第三节 钨塞空洞导致接触电阻值高 | 第41-43页 |
| 第四节 优化化学气相沉积氮化钛的淀积程式 | 第43-45页 |
| 第五节 用脉冲成核层淀积替代化学气相沉积 | 第45-49页 |
| 第五章 全文总结和展望 | 第49-52页 |
| 第一节 实验结果总结 | 第49-50页 |
| 第二节 进一步的研究工作和展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
