| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第7-20页 |
| 1.1 微电子封装技术 | 第7-11页 |
| 1.1.1 技术背景及定义 | 第7-8页 |
| 1.1.2 封装技术的发展历程和种类 | 第8-9页 |
| 1.1.3 电子封装工程的范围和层次 | 第9-11页 |
| 1.2 封装中的电学互连技术 | 第11-14页 |
| 1.2.1 互连技术种类 | 第12页 |
| 1.2.2 引线键合技术 | 第12-14页 |
| 1.3 铜引线键合 | 第14-16页 |
| 1.3.1 铜引线的优劣势 | 第14-16页 |
| 1.3.2 铜引线键合的研究现状及进展 | 第16页 |
| 1.4 镀钯铜线引线键合 | 第16-18页 |
| 1.4.1 镀钯铜线与纯铜线的差异 | 第16-17页 |
| 1.4.2 镀钯铜线的研究现状及进展 | 第17-18页 |
| 1.5 本课题的研究意义及内容 | 第18-20页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第18-19页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 4N Cu线及其FAB晶体结构分析 | 第20-39页 |
| 2.1 Cu线FAB的形成过程涉及到金属材料的重结晶问题 | 第20-21页 |
| 2.2 CP+BSE观察 | 第21-24页 |
| 2.2.1 样品制备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 CP过程 | 第22-24页 |
| 2.2.3 BSE晶粒显示 | 第24页 |
| 2.3 化学腐蚀+OM观察 | 第24-29页 |
| 2.3.1 样品试做及观察结果 | 第24-26页 |
| 2.3.2 正式样品概况及制备 | 第26-29页 |
| 2.4 九种工艺参数样品实验结果的比较分析 | 第29-39页 |
| 2.4.1 相同EFO Current下的比较 | 第30-34页 |
| 2.4.2 相同EFO Fire Time下的比较 | 第34-38页 |
| 2.4.3 工艺Cell 1-9样品结果比较分析结论 | 第38-39页 |
| 第三章 4N铜线的纳米压痕硬度实验 | 第39-44页 |
| 3.1 样品制备 | 第39-41页 |
| 3.2 纳米压痕硬度测试 | 第41-42页 |
| 3.3 硬度值与相关工艺参数的关系探究 | 第42-44页 |
| 3.3.1 硬度值与EFO电流的关系 | 第42页 |
| 3.3.2 硬度值与EFO加热时间的关系 | 第42页 |
| 3.3.3 硬度值与晶粒大小之间的关系 | 第42-43页 |
| 3.3.4 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Pd-Cu线FAB表面Pd覆盖状况的探究 | 第44-53页 |
| 4.1 Pd覆盖状况的探究 | 第44-45页 |
| 4.2 Pd-Cu线FAB Pd薄弱区覆盖的化学显示 | 第45-51页 |
| 4.2.1 化学蚀刻条件的试验 | 第45页 |
| 4.2.2 蚀刻参数初选 | 第45-47页 |
| 4.2.3 调整腐蚀液浓度和时间参数 | 第47-51页 |
| 4.3 最佳腐蚀条件的确定 | 第51-52页 |
| 4.4 最佳腐蚀条件的显示结果 | 第52-53页 |
| 第五章 六种工艺FAB样品的Pd薄弱区覆盖情况 | 第53-60页 |
| 5.1 六组FAB样品的腐蚀形貌 | 第53-55页 |
| 5.2 六组FAB样品Pd薄弱区覆盖情况 | 第55-56页 |
| 5.3 Pd薄弱区域面积的量测结果 | 第56-60页 |
| 第六章 Pd薄弱区覆盖的模型参数分析和讨论 | 第60-64页 |
| 6.1 Pd薄弱区面积的变化 | 第60-62页 |
| 6.1.1 成球之前铜线初始断面面积 | 第60页 |
| 6.1.2 成球后FAB的Pd薄弱区面积 | 第60-61页 |
| 6.1.3 面积与EFO加热时间的关系 | 第61-62页 |
| 6.2 FAB成球前后Pd薄弱区偏心度的变化 | 第62-63页 |
| 6.2.1 FAB上的Pd薄弱区偏心度 | 第62页 |
| 6.2.2 偏心度与Pd薄弱区裸露的关系 | 第62-63页 |
| 6.3 小结 | 第63-64页 |
| 第七章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
