| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 前言 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 光刻工艺简述及重要参数简介 | 第12-14页 |
| 1.1.1 光刻工艺简述 | 第12-13页 |
| 1.1.2 光刻工艺的几个重要参数 | 第13-14页 |
| 1.2 光刻工艺中的光学增强技术 | 第14-17页 |
| 1.3 相位移掩膜技术工艺简介 | 第17-19页 |
| 1.4 化学机械抛光简介 | 第19-24页 |
| 1.4.1 化学机械抛光工艺简述 | 第19-21页 |
| 1.4.2 CMP 在非金属平坦化中的应用 | 第21-22页 |
| 1.4.3 CMP 工艺相关的设备组成 | 第22-24页 |
| 2 多晶硅关键尺寸偏差问题及机理分析 | 第24-36页 |
| 2.1 问题描述- | 第24-25页 |
| 2.2 缺陷点的检查 | 第25-32页 |
| 2.2.1 Design Rule Check- | 第25-28页 |
| 2.2.2 Photo Condition 检查 | 第28-29页 |
| 2.2.3 前层环境缺陷点的检查 | 第29-32页 |
| 2.3 前层SUBSTRATE TOPOGRAPHY 分析 | 第32-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 3 实验方法 | 第36-47页 |
| 3.1 实验材料与设备 | 第36页 |
| 3.2 实验方案设计及测试方法 | 第36-46页 |
| 3.2.1 光刻过程中的参数分析和交叉试验 | 第37-39页 |
| 3.2.2 光阻的Swing Curve (摆动曲线) | 第39-40页 |
| 3.2.3 用Swing Curve 建模解释前层AA Pattern 的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.4 Production Wafer 上PSM PR 与BIN PR 的Swing Curve | 第43-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 实验结果及相关验证 | 第47-58页 |
| 4.1 OPC MODEL 检查 | 第47-49页 |
| 4.2 光刻工艺WINDOW 检查 | 第49-53页 |
| 4.3 INLINE CD UNIFORMITY 和ETCH BIAS 检查 | 第53-55页 |
| 4.4 光阻PROFILE 和DEFECT 的检查 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第61-63页 |
