| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3-4页 |
| 1 前言 | 第6-16页 |
| 1.1 先进集成电路中的Cu 工艺及流程简介 | 第7-11页 |
| 1.2 Cu 工艺中的氮化硅阻挡层 | 第11-14页 |
| 1.2.1 Cu 阻挡层的作用 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Cu 阻挡层的材料 | 第12页 |
| 1.2.3 Cu 阻挡层薄膜工艺简介 | 第12-14页 |
| 1.3 本文研究意义及内容 | 第14-15页 |
| 1.3.1 本文的研究意义 | 第14页 |
| 1.3.2 本文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 1.4 本章小结 | 第15-16页 |
| 2 铜阻挡层氮化硅CVD 沉积工艺的对比分析 | 第16-24页 |
| 2.1 PE-CVD 基本原理 | 第16-20页 |
| 2.2 HDP-CVD 基本原理 | 第20-22页 |
| 2.3 氮化硅沉积工艺对比分析 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 实验设计 | 第24-35页 |
| 3.1 实验目标 | 第24-25页 |
| 3.2 实验方案 | 第25-29页 |
| 3.3 实验设备 | 第29-33页 |
| 3.3.1 氮化硅薄膜沉积设备 | 第29-31页 |
| 3.3.2 氮化硅薄膜分析设备 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 4 实验结果及分析 | 第35-45页 |
| 4.1 大马士革PE-CVD 氮化硅薄膜特性分析 | 第35-40页 |
| 4.1.1 氮化硅薄膜沉积速率及均匀性分析 | 第36页 |
| 4.1.2 氮化硅的膜层结构及组份分析 | 第36-37页 |
| 4.1.3 氮化硅的刻蚀速率分析 | 第37-38页 |
| 4.1.4 氮化硅与FSG 的整合能力分析 | 第38-40页 |
| 4.2 大马士革PE-CVD 氮化硅对铜的扩散阻挡性能分析 | 第40-44页 |
| 4.2.1 Cu 扩散的基本原理 | 第40-42页 |
| 4.2.2 氮化硅对铜的扩散阻挡性能分析 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 结论和对未来的展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读期间发表的学术论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-54页 |
| 学位论文答辩决议书 | 第54页 |