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大马士革铜阻挡氮化硅薄膜沉积工艺的优化研究

摘要第2-3页
ABSTRACT第3-4页
1 前言第6-16页
    1.1 先进集成电路中的Cu 工艺及流程简介第7-11页
    1.2 Cu 工艺中的氮化硅阻挡层第11-14页
        1.2.1 Cu 阻挡层的作用第11-12页
        1.2.2 Cu 阻挡层的材料第12页
        1.2.3 Cu 阻挡层薄膜工艺简介第12-14页
    1.3 本文研究意义及内容第14-15页
        1.3.1 本文的研究意义第14页
        1.3.2 本文的主要研究内容第14-15页
    1.4 本章小结第15-16页
2 铜阻挡层氮化硅CVD 沉积工艺的对比分析第16-24页
    2.1 PE-CVD 基本原理第16-20页
    2.2 HDP-CVD 基本原理第20-22页
    2.3 氮化硅沉积工艺对比分析第22-23页
    2.4 本章小结第23-24页
3 实验设计第24-35页
    3.1 实验目标第24-25页
    3.2 实验方案第25-29页
    3.3 实验设备第29-33页
        3.3.1 氮化硅薄膜沉积设备第29-31页
        3.3.2 氮化硅薄膜分析设备第31-33页
    3.4 本章小结第33-35页
4 实验结果及分析第35-45页
    4.1 大马士革PE-CVD 氮化硅薄膜特性分析第35-40页
        4.1.1 氮化硅薄膜沉积速率及均匀性分析第36页
        4.1.2 氮化硅的膜层结构及组份分析第36-37页
        4.1.3 氮化硅的刻蚀速率分析第37-38页
        4.1.4 氮化硅与FSG 的整合能力分析第38-40页
    4.2 大马士革PE-CVD 氮化硅对铜的扩散阻挡性能分析第40-44页
        4.2.1 Cu 扩散的基本原理第40-42页
        4.2.2 氮化硅对铜的扩散阻挡性能分析第42-44页
    4.3 本章小结第44-45页
5 结论和对未来的展望第45-47页
参考文献第47-50页
攻读期间发表的学术论文第50-51页
致谢第51-54页
学位论文答辩决议书第54页

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