摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
·功率器件简介 | 第11-12页 |
·功率器件的封装技术 | 第12-13页 |
·功率器件封装简介 | 第12-13页 |
·封装工艺流程 | 第13页 |
·芯片粘贴及可靠性研究 | 第13-15页 |
·芯片粘贴中的空洞 | 第13-14页 |
·金属间化合物 | 第14-15页 |
·引线键合及其可靠性研究 | 第15-17页 |
·本论文的研究目的及内容 | 第17-19页 |
第二章 贴片焊料层中的空洞对器件性能和可靠性的影响 | 第19-31页 |
·概述 | 第19页 |
·实验设计、样品制备和检测 | 第19-25页 |
·实验流程 | 第19-20页 |
·实验设备 | 第20页 |
·实验材料 | 第20-21页 |
·初始样品检测 | 第21-24页 |
·样品老化 | 第24-25页 |
·实验结果与分析 | 第25-29页 |
·空洞面积的改变 | 第25-26页 |
·导通电阻的变化 | 第26-27页 |
·热阻的变化与分析 | 第27-28页 |
·空洞面积的改变量与电阻和热阻改变量的关系 | 第28-29页 |
·老化后空洞面积的变化与初始空洞的关系 | 第29页 |
·本章小结 | 第29-31页 |
第三章 金属间化合物的生长及其对器件的影响 | 第31-46页 |
·概述 | 第31页 |
·实验设计、样品制备和检测 | 第31-36页 |
·实验流程 | 第31-32页 |
·实验设备 | 第32-33页 |
·实验材料 | 第33-34页 |
·初始电阻测试 | 第34-35页 |
·样品老化 | 第35-36页 |
·实验结果与分析 | 第36-44页 |
·导通电阻的改变 | 第36-38页 |
·焊料层界面处IMC的生长 | 第38-42页 |
·铝线与铜焊盘界面处IMC的生长 | 第42-43页 |
·导通电阻变化与IMC变化的关系 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-46页 |
第四章 粗铝线键合焊点的布局对器件的影响 | 第46-62页 |
·概述 | 第46页 |
·雪崩击穿 | 第46-49页 |
·雪崩击穿的机理 | 第46-47页 |
·雪崩测试的方法 | 第47-49页 |
·实验设计和样品制备 | 第49-51页 |
·实验流程 | 第49-50页 |
·实验设备 | 第50页 |
·实验材料 | 第50-51页 |
·实验结果与分析 | 第51-60页 |
·热阻测试 | 第51-55页 |
·导通电阻测试 | 第55-57页 |
·雪崩击穿能量测试 | 第57-59页 |
·雪崩击穿位置分析 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
总结与展望 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
附件 | 第70页 |