| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·SOI技术的发展概述 | 第8-9页 |
| ·SOI高压功率器件研究现状 | 第9-13页 |
| ·纵向耐压技术 | 第9-11页 |
| ·横向耐压技术 | 第11-13页 |
| ·集成电路制造工艺概述 | 第13-19页 |
| ·集成电路中的隔离技术 | 第14-16页 |
| ·集成电路的工艺集成技术 | 第16-19页 |
| ·本文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 基于RIE的倾斜表面制备方法研究 | 第20-31页 |
| ·工艺方案设计 | 第20-22页 |
| ·反应离子刻蚀技术概述 | 第20-21页 |
| ·设计方案 | 第21-22页 |
| ·单窗口反应离子刻蚀数学模型 | 第22-26页 |
| ·模型推导 | 第22-23页 |
| ·模型验证 | 第23-24页 |
| ·工艺参数对刻蚀轮廓的影响 | 第24-26页 |
| ·多窗口反应离子刻蚀数学模型 | 第26-29页 |
| ·模型推导与数值算法 | 第26-28页 |
| ·模型仿真结果及优化 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 基于各向异性湿法刻蚀技术的倾斜表面制备方法研究 | 第31-42页 |
| ·湿法刻蚀技术概述 | 第31-32页 |
| ·湿法刻蚀原理 | 第31-32页 |
| ·各向异性湿法刻蚀的过程 | 第32页 |
| ·单窗口反应离子刻蚀数学模型 | 第32-36页 |
| ·模型推导 | 第32-35页 |
| ·模型仿真结果 | 第35-36页 |
| ·多窗口湿法刻蚀数学模型 | 第36-40页 |
| ·模型推导及数值算法 | 第36-38页 |
| ·模型仿真结果 | 第38-39页 |
| ·窗口个数的优化 | 第39-40页 |
| ·反应离子刻蚀与湿法刻蚀技术对比 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 VLT SOI LDMOS工艺设计与优化 | 第42-49页 |
| ·CMOS兼容工艺方案设计 | 第42-43页 |
| ·工艺模拟与工艺条件优化 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 VLT SOI LDMOS工作特性研究 | 第49-62页 |
| ·导通电阻特性研究 | 第49-51页 |
| ·器件参数对导通电阻的影响 | 第51-56页 |
| ·漂移区掺杂浓度对导通电阻的影响 | 第52-53页 |
| ·近源端、近漏端厚度对导通电阻的影响 | 第53-54页 |
| ·埋氧层厚度对导通电阻的影响 | 第54页 |
| ·场板长度对导通电阻的影响 | 第54-55页 |
| ·窗口个数对导通电阻的影响 | 第55-56页 |
| ·击穿电压特性研究 | 第56-59页 |
| ·窗口个数对击穿电压的影响 | 第56页 |
| ·漂移区掺杂浓度对击穿电压的影响 | 第56-58页 |
| ·场板长度对击穿电压的影响 | 第58-59页 |
| ·输出特性研究 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 作者在攻读硕士研究生期间发表的论文 | 第68页 |