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基于双约束M-IVC的集成电路NBTI老化缓解技术研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第15-26页
    1.1 研究背景与意义第15-21页
    1.2 国内外研究现状第21-25页
        1.2.1 结构优化技术第21-22页
        1.2.2 防护控制技术第22页
        1.2.3 IVC技术缓解电路NBTI效应第22-25页
    1.3 本文的主要工作第25-26页
第二章 研究工作基础第26-33页
    2.1 NBTI效应及建模第26-31页
        2.1.1 NBTI效应第26-28页
        2.1.2 NBTI效应的建模第28-31页
    2.2 Hspice仿真工具第31页
    2.3 静态时序分析软件第31-32页
    2.4 本章小结第32-33页
第三章 考虑输入占空比和随机性的M-IVC方法研究第33-44页
    3.1 研究动机第33-34页
    3.2 解决方案的提出第34-35页
    3.3 防护电路最优输入占空比求解第35-38页
        3.3.1 电路时延退化计算模型第35-36页
        3.3.2 最优占空比的求解第36-38页
    3.4 考虑随机性约束下向量个数选择问题第38-39页
    3.5 实验仿真结果与分析第39-43页
    3.6 本章小结第43-44页
第四章 向量生成器设计和引脚分类控制的研究第44-58页
    4.1 研究动机第44页
    4.2 向量生成器结构分析第44-45页
    4.3 向量生成器的设计第45-51页
    4.4 向量生成器的设计输入与仿真第51-54页
        4.4.1 向量生成器的设计输入第51-53页
        4.4.2 向量生成器的仿真结果与分析第53-54页
    4.5 控制向量生成器硬件开销及分析第54-55页
    4.6 防护电路引脚分类控制方案第55-56页
    4.7 引脚分类控制的面积开销评估第56-57页
    4.8 本章小结第57-58页
第五章 结论与展望第58-60页
    5.1 研究工作总结第58-59页
    5.2 未来工作展望第59-60页
参考文献第60-64页
攻读硕士期间的学术活动及成果情况第64页

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