| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第17-26页 |
| 1.1 太阳能电池 | 第17-21页 |
| 1.1.1 太阳能电池的产生背景 | 第17页 |
| 1.1.2 太阳能电池的工作原理 | 第17-18页 |
| 1.1.3 太阳能电池的特性 | 第18-20页 |
| 1.1.4 太阳能电池的分类 | 第20-21页 |
| 1.1.5 太阳能电池的发展前景 | 第21页 |
| 1.2 光电探测器 | 第21-24页 |
| 1.2.1 光电探测器的分类 | 第22页 |
| 1.2.2 pn结光电二极管 | 第22-24页 |
| 1.3 论文目的与内容 | 第24-26页 |
| 第二章 太阳能电池与光电器件吸收层材料 | 第26-31页 |
| 2.1 CH_3NH_3PbI_3薄膜材料 | 第26-27页 |
| 2.2 CH_3NH_3PbI_3薄膜的制备方法 | 第27-28页 |
| 2.2.1 溶液旋涂法 | 第27页 |
| 2.2.2 地步溶液法 | 第27-28页 |
| 2.2.3 物理气相沉积法 | 第28页 |
| 2.2.4 脉冲激光沉积法 | 第28页 |
| 2.3 SnS薄膜材料 | 第28-29页 |
| 2.4 SnS薄膜的制备方法 | 第29-31页 |
| 2.4.1 真空蒸发法 | 第29页 |
| 2.4.2 磁控溅射法 | 第29-30页 |
| 2.4.3 电子束蒸发法 | 第30页 |
| 2.4.4 脉冲激光沉积法 | 第30页 |
| 2.4.5 近空间升华法 | 第30-31页 |
| 第三章 薄膜制备技术和表征方法 | 第31-44页 |
| 3.1 薄膜和器件制备所用设备 | 第31-39页 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积系统 | 第31-34页 |
| 3.1.2 磁控溅射沉积系统 | 第34-37页 |
| 3.1.3 快速退火系统 | 第37-38页 |
| 3.1.4 电子束蒸发镀膜系统 | 第38-39页 |
| 3.2 薄膜材料及器件的表征手段 | 第39-43页 |
| 3.2.1 X射线衍射仪 | 第39页 |
| 3.2.2 显微共焦激光拉曼光谱仪 | 第39-40页 |
| 3.2.3 原子力显微镜 | 第40-41页 |
| 3.2.4 场发射扫描电子显微镜 | 第41页 |
| 3.2.5 紫外可见近红外分光光度计 | 第41-42页 |
| 3.2.6 半导体参数分析仪 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 脉冲激光沉积法制备CH_3NH_3PbI_3薄膜及光电应用 | 第44-57页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 实验 | 第44-46页 |
| 4.2.1 靶材的制备 | 第44-45页 |
| 4.2.2 CH_3NH_3PbI_3薄膜的制备 | 第45页 |
| 4.2.3 器件的制备 | 第45-46页 |
| 4.2.4 薄膜及器件表征 | 第46页 |
| 4.3 结果与分析 | 第46-56页 |
| 4.3.1 CH_3NH_3PbI_3薄膜的晶体结构分析 | 第46-49页 |
| 4.3.2 CH_3NH_3PbI_3薄膜的拉曼光谱分析 | 第49页 |
| 4.3.3 CH_3NH_3PbI_3薄膜的形貌分析 | 第49-50页 |
| 4.3.4 CH_3NH_3PbI_3薄膜的组分分析 | 第50-51页 |
| 4.3.5 CH_3NH_3PbI_3薄膜的光学性质 | 第51-53页 |
| 4.3.6 器件特性 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 射频磁控溅射法制备SnS薄膜 | 第57-67页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 实验 | 第57-58页 |
| 5.2.1 基片清洗 | 第57页 |
| 5.2.2 SnS薄膜的制备 | 第57页 |
| 5.2.3 薄膜表征 | 第57-58页 |
| 5.3 结果与分析 | 第58-65页 |
| 5.3.1 SnS薄膜的晶体结构分析 | 第58-62页 |
| 5.3.2 SnS薄膜的拉曼光谱分析 | 第62-63页 |
| 5.3.3 SnS薄膜的光学性质 | 第63-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第73页 |
