| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·静电简介 | 第8页 |
| ·ESD 简介 | 第8-9页 |
| ·ESD 防护器件发展动态 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 ESD 基本理论 | 第12-26页 |
| ·ESD 失效理论 | 第12-14页 |
| ·ESD 失效类型 | 第12-13页 |
| ·ESD 硬失效机理 | 第13页 |
| ·ESD 失效判定 | 第13-14页 |
| ·ESD 模型介绍 | 第14-17页 |
| ·人体放电模型 | 第14-15页 |
| ·机器放电模型 | 第15-16页 |
| ·器件充电模型 | 第16页 |
| ·三种放电模型的简单对比 | 第16-17页 |
| ·ESD 测试理论 | 第17-23页 |
| ·输入/输出引脚的ESD 测试 | 第17-18页 |
| ·引脚之间的ESD 测试 | 第18-19页 |
| ·电源线的ESD 测试 | 第19-20页 |
| ·模拟引脚的ESD 测试 | 第20页 |
| ·CDM 的ESD 测试 | 第20-21页 |
| ·ESD 测试方法及TLP 技术 | 第21-23页 |
| ·ESD 防护理论 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 输入端栅氧化层ESD 防护器件的设计与分析 | 第26-41页 |
| ·基于二极管的ESD 防护设计与分析 | 第26-32页 |
| ·二极管的ESD 防护原理 | 第26-27页 |
| ·二极管仿真设计与分析 | 第27-30页 |
| ·二极管的版图设计 | 第30-32页 |
| ·基于GGNMOS 的ESD 防护设计与分析 | 第32-40页 |
| ·GGNMOS 的ESD 防护原理 | 第32-34页 |
| ·GGNMOS 的仿真设计与分析 | 第34-38页 |
| ·GGNMOS 的版图设计 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于SCR 的ESD 防护设计与分析 | 第41-50页 |
| ·SCR 防护原理 | 第41-43页 |
| ·传统LSCR 的仿真分析 | 第43-45页 |
| ·提高LSCR 防护性能的简单讨论 | 第45-49页 |
| ·LSCR 二级保护的简单分析 | 第45-46页 |
| ·改进型LSCR 的仿真分析 | 第46-47页 |
| ·LVTSCR 的仿真分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 LVTSCR 抗干扰能力的研究与设计 | 第50-63页 |
| ·实际应用中LVTSCR 的抗干扰问题 | 第50-51页 |
| ·提高LVTSCR 抗干扰能力的方法 | 第51-52页 |
| ·提高LVTSCR 保持电压方法的简单讨论 | 第52-54页 |
| ·提高LVTSCR 触发电流的设计与分析 | 第54-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |