| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·电源管理芯片的发展现状 | 第9-10页 |
| ·BCD 工艺的应用背景 | 第10-11页 |
| ·功率器件的历史沿革 | 第11-13页 |
| ·本文的工作 | 第13-15页 |
| 第二章 Double RESURF LDMOS 初级模型的仿真设计 | 第15-31页 |
| ·结终端技术 | 第15-21页 |
| ·RESURF 技术 | 第16-18页 |
| ·Double RESRUF 的工作原理 | 第18-20页 |
| ·场板技术 | 第20-21页 |
| ·器件电学特性的分析 | 第21-22页 |
| ·器件二维数值分析 | 第22-29页 |
| ·初级模型整体结构的架构 | 第23-25页 |
| ·漂移区Nwell 长度与注入剂量的优化设计 | 第25-26页 |
| ·降场层pwe112 的优化设计 | 第26-29页 |
| ·体区Pbody 的优化设计 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 基于漂移区双阱注入的Double RESURF LDMOS | 第31-60页 |
| ·RESURF LDMOS 新的器件类型 | 第31-33页 |
| ·新型LDMOS 的仿真设计 | 第33-45页 |
| ·衬底材料的选取 | 第34-36页 |
| ·P 型多环降场层的设计 | 第36-40页 |
| ·双阱漂移区的设计 | 第40-45页 |
| ·SENSORFET 的仿真 | 第45-47页 |
| ·中低压器件的仿真实验 | 第47-57页 |
| ·双极型器件的仿真分析 | 第48-51页 |
| ·低压MOS 管的仿真设计 | 第51-54页 |
| ·中压MOS 管的仿真设计 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-60页 |
| 第四章 电源管理芯片的BCD 工艺设计 | 第60-69页 |
| ·工艺实现 | 第60-65页 |
| ·特征尺寸的选择 | 第60页 |
| ·工艺流程的兼容性设计 | 第60-64页 |
| ·BCD 工艺容差 | 第64-65页 |
| ·版图绘制 | 第65-68页 |
| ·版图设计规则 | 第65-66页 |
| ·结终端分析报告 | 第66-68页 |
| ·LDMOS 的版图设计 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |