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应用于IMT-Advanced系统的单片宽带低噪声放大器

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-14页
   ·研究背景第8-9页
   ·宽带低噪声放大器的发展及研究现状第9-11页
   ·GaAs pHEMT 器件第11-12页
   ·论文的内容安排第12-14页
第二章 宽带低噪声放大器电路设计第14-69页
   ·宽带低噪声放大器设计流程与方法第14-17页
   ·宽带低噪声放大器结构设计第17-22页
     ·分布式宽带放大器第17页
     ·平衡式放大器第17-18页
     ·电感电容滤波器匹配放大器第18-19页
     ·反馈放大器第19-22页
   ·多级放大电路设计第22-24页
   ·GaAs PHEMT 晶体管的选择第24-35页
     ·晶体管噪声分析第24-29页
     ·晶体管增益分析第29-32页
     ·放大器管芯的选择第32-35页
   ·偏置电路的设计第35-39页
     ·晶体管直流特性分析第35-38页
     ·偏置电路设计第38-39页
   ·单级放大电路的设计第39-61页
     ·放大器稳定性分析第39-45页
     ·放大器噪声系数分析第45-47页
     ·第一级放大器设计第47-57页
     ·第二级放大器设计第57-61页
   ·两级级联宽带低噪声放大器整体设计第61-65页
   ·宽带低噪声放大器版图的设计第65-69页
第三章 宽带低噪声放大器测试结果与分析第69-76页
   ·直流静态工作点测试第71-72页
   ·S 参数测试第72-73页
   ·噪声系数测试第73-75页
   ·总体性能与比较第75-76页
第四章 总结与展望第76-77页
致谢第77-78页
参考文献第78-80页
攻读硕士期间取得的研究成果第80-81页

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