| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·MOSFET技术的进展 | 第7-8页 |
| ·MOS器件发展过程中遇到的主要问题 | 第8-9页 |
| ·现有解决MOS器件问题的主要研究方向和方案 | 第9-12页 |
| ·本论文的主要工作及章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 SOI器件的研究背景及理论 | 第14-27页 |
| ·SOI器件的研究背景 | 第14-15页 |
| ·SOI CMOS等比缩小理论 | 第15-18页 |
| ·SOI MOS器件的理论模型 | 第18-24页 |
| ·SOI衬底上纳米线围栅器件“自上而下”和“自底向上”的工艺实现方法 | 第24-27页 |
| 第三章 硅纳米线围栅器件的制备 | 第27-44页 |
| ·SOI硅衬底纳米线围栅器件制备工艺方法的提出 | 第27-28页 |
| ·SOI衬底纳米线围栅器件的制备 | 第28-30页 |
| ·硅纳米线氧化单项实验 | 第30-40页 |
| ·体硅衬底上纳米线围栅SONOS闪存器件的制备工艺 | 第40-44页 |
| 第四章 硅纳米线围栅器件的流片及测试 | 第44-54页 |
| ·SOI衬底上硅纳米线围栅器件流片结果和特性测试 | 第44-48页 |
| ·体硅衬底上硅纳米线SONOS闪存器件的流片结果与特性测试 | 第48-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
