| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·研究背景 | 第7页 |
| ·CMOS器件辐照效应国内外的研究进展 | 第7-12页 |
| ·本论文的工作 | 第12-14页 |
| 第二章 CMOS器件的辐照效应及其加固技术 | 第14-24页 |
| ·主要的辐射环境和辐照效应 | 第14-17页 |
| ·CMOS器件的总剂量效应 | 第17-20页 |
| ·抗辐照加固新技术与新结构 | 第20-22页 |
| ·CMOS器件抗辐照技术需要解决的问题 | 第22-24页 |
| 第三章 超深亚微米CMOS器件总剂量效应研究 | 第24-35页 |
| ·器件版图设计及封装 | 第24-27页 |
| ·辐照实验设计 | 第27页 |
| ·实验结果与分析 | 第27-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 超深亚微米CMOS器件总剂量效应模型的研究 | 第35-48页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·环栅器件模型 | 第35-38页 |
| ·直栅NMOS器件的辐照效应模型 | 第38-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与工作展望 | 第48-50页 |
| ·总结 | 第48-49页 |
| ·工作展望 | 第49-50页 |
| 攻读硕士期间发表的论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |