| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·半导体激光器发展简介 | 第7-8页 |
| ·InGaAsSb应变量子阱激光器的研究 | 第8-9页 |
| ·2微米双极级联半导体激光器的研究进展 | 第9-10页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 实验技术 | 第11-16页 |
| ·分子束外延 | 第11-13页 |
| ·MBE技术优点 | 第13-14页 |
| ·X射线双晶衍射原理及实验方法 | 第14-16页 |
| 第三章 锑化物材料制备及表征 | 第16-30页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·GaAs、GaSb基锑化物材料的制备 | 第16-22页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的结构设计与制备 | 第22-30页 |
| 第四章 InGaAsSb双极级联量子阱激光器的结构设计 | 第30-40页 |
| ·大功率半导体激光器的现有问题 | 第30-32页 |
| ·双极级联半导体激光器工作机理及特点 | 第32-35页 |
| ·隧道结性能 | 第35-37页 |
| ·InGaAsSb双极级联结构结构设计 | 第37-40页 |
| 总结 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |