晶圆制造中焊盘结晶缺陷的检测方法和工艺流程改善研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 集成电路焊盘制造背景 | 第12-13页 |
| 1.2 焊盘表面缺陷的影响 | 第13-14页 |
| 1.3 焊盘表面缺陷的介绍 | 第14-22页 |
| 1.3.1 Hillock缺陷 | 第14-15页 |
| 1.3.2 Crystal缺陷 | 第15-18页 |
| 1.3.3 Pits缺陷 | 第18-20页 |
| 1.3.4 Tiny Crystal缺陷 | 第20-22页 |
| 1.4 焊盘表面缺陷检测方法介绍 | 第22-23页 |
| 1.5 后段钝化层制造工艺流程现状 | 第23-26页 |
| 1.5.1 钝化层干法刻蚀工艺介绍 | 第24-26页 |
| 1.5.2 刻蚀后湿法清洗工艺介绍 | 第26页 |
| 1.6 论文的主要内容与章节安排 | 第26-28页 |
| 第二章 焊盘结晶缺陷的检测方法研究 | 第28-42页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 焊盘结晶缺陷检测难点分析 | 第28-29页 |
| 2.3 焊盘结晶缺陷暗场检测方案的建立与优化 | 第29-35页 |
| 2.3.1 暗场扫描程式的建立和优化 | 第29-34页 |
| 2.3.2 暗场扫描程式的检测结果分析 | 第34-35页 |
| 2.4 焊盘结晶缺陷亮场检测方案的建立与优化 | 第35-41页 |
| 2.4.1 亮场扫描程式的建立和优化 | 第35-39页 |
| 2.4.2 亮场扫描程式的检测结果分析 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 焊盘结晶缺陷的工艺改善研究 | 第42-56页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 焊盘结晶缺陷中的氟来源分析 | 第42-45页 |
| 3.2.1 钝化层刻蚀引入氟机制模型 | 第43页 |
| 3.2.2 刻蚀副产物挥发引入氟机制模型 | 第43-44页 |
| 3.2.3 刻蚀后湿法清洗引入氟机制模型 | 第44-45页 |
| 3.3 FOUP小环境影响验证实验 | 第45-47页 |
| 3.4 钝化层刻蚀及清洗工艺优化实验 | 第47-49页 |
| 3.5 防反射薄膜替换实验 | 第49-51页 |
| 3.6 钝化层刻蚀后清洗液替换实验 | 第51-53页 |
| 3.7 DSP清洗工艺优化实验 | 第53-55页 |
| 3.8 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 晶背清洗对焊盘结晶缺陷的影响 | 第56-64页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 问题分析 | 第56-60页 |
| 4.3 实验设计和结果分析 | 第60-61页 |
| 4.4 工艺解决方案 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考 文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第70-72页 |
