| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第12-26页 |
| 1.1 集成电路制造技术简介 | 第12页 |
| 1.2 集成电路制造流程 | 第12-21页 |
| 1.2.1 常用的集成电路生产基础工艺 | 第12-14页 |
| 1.2.2 MOS栅极硅晶体管的基本制造流程 | 第14-21页 |
| 1.3 光学临近效应修正技术简介 | 第21-23页 |
| 1.4 离子注入层光刻技术及光学临近效应修正的引入 | 第23-26页 |
| 第二章 离子注入层光学临近效应修正的优化 | 第26-34页 |
| 2.1 近似光学临近效应修正方法的缺点及其成因 | 第26-27页 |
| 2.2 目前可选的几种解决方案 | 第27-29页 |
| 2.2.1 底部抗反射层(BARC)的应用 | 第27-28页 |
| 2.2.2 对离子注入层图形进行放大 | 第28页 |
| 2.2.3 使用纯光学模拟软件进行模拟 | 第28页 |
| 2.2.4 新型的三维光学仿真模型建模软件 | 第28-29页 |
| 2.3 一种混合式的光学临近效应修正的方法 | 第29-32页 |
| 2.3.1 概述 | 第29-30页 |
| 2.3.2 测试图形的设计 | 第30-32页 |
| 2.3.3 测试硅片的制备 | 第32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 不同类型图形的补偿规则的建立 | 第34-50页 |
| 3.1 浅槽隔离工艺后的衬底结构 | 第34-42页 |
| 3.1.1 概述 | 第34页 |
| 3.1.2 有源区位置上的离子注入层线宽间距受衬底的影响 | 第34-36页 |
| 3.1.3 浅槽隔离区位置上的离子注入层线宽间距受衬底的影响 | 第36-38页 |
| 3.1.4 有源区位置上的离子注入层线宽受衬底的影响 | 第38-40页 |
| 3.1.5 浅槽隔离区位置上的离子注入层线宽受衬底的影响 | 第40-42页 |
| 3.2 有源区的补偿规则 | 第42-44页 |
| 3.2.1 有源区补偿规则建立 | 第42-43页 |
| 3.2.2 补偿规则的验证 | 第43-44页 |
| 3.3 栅极工艺后的衬底结构 | 第44-49页 |
| 3.3.1 概述 | 第44页 |
| 3.3.2 有源区位置上的离子注入层线宽间距受栅极衬底的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.3 浅槽隔离区位置上的离子注入层线宽间距受栅极衬底的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.4 有源区位置上的离子注入层线宽受栅极衬底的影响 | 第47页 |
| 3.3.5 浅槽隔离区位置上的离子注入层线宽受衬底的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.6 栅极的影响分析 | 第49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 混合式离子注入OPC | 第50-56页 |
| 4.1 实施流程 | 第50-51页 |
| 4.2 目标层调整方法 | 第51页 |
| 4.3 版图应用实例 | 第51-52页 |
| 4.4 次分辨率辅助图形的添加 | 第52-54页 |
| 4.5 效果比较及结果分析 | 第54-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结束语 | 第56-58页 |
| 5.1 主要工作与创新点 | 第56-57页 |
| 5.2 后续研究工作 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 附录1 SVRF源代码 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第64-66页 |
