有机薄膜/有机单晶阵列电路的制备与性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 有机场效应晶体管简介 | 第11-16页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管基本结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管工作原理 | 第13-14页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管主要参数 | 第14-16页 |
| 1.3 有机场薄膜效应晶体管 | 第16-19页 |
| 1.3.1 有机薄膜场效应晶体管的主要制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3.2 有机薄膜电路的发展 | 第18-19页 |
| 1.4 有机单晶场效应晶体管 | 第19-22页 |
| 1.4.1 有机单晶及其器件制备方法 | 第19-21页 |
| 1.4.2 有机单晶未来发展的挑战 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文主要内容及结构安排 | 第22-24页 |
| 第二章 聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究 | 第24-36页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 聚酰亚胺薄膜的制备与表征 | 第25-31页 |
| 2.2.1 旋涂法制备PI薄膜 | 第25-26页 |
| 2.2.2 聚酰亚胺薄膜表征 | 第26-30页 |
| 2.2.3 器件性质一致性表征 | 第30-31页 |
| 2.3 耐腐蚀性表征 | 第31-35页 |
| 2.4 总结 | 第35-36页 |
| 第三章 快速退火自剪切法制备BPEA单晶阵列 | 第36-54页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 BPEA单晶阵列的制备方法与主要因素 | 第37-44页 |
| 3.2.1 BPEA单晶阵列的制备方法 | 第38-40页 |
| 3.2.2 制备方法中几个重要的因素 | 第40-43页 |
| 3.2.3 单晶阵列生长密度的可控性 | 第43-44页 |
| 3.3 BPEA单晶阵列微观结构与性质的表征 | 第44-51页 |
| 3.3.1 BPEA单晶阵列微观结构得到表征 | 第45-46页 |
| 3.3.2 BPEA单晶阵列电学性质的表征 | 第46-51页 |
| 3.4 RASSS方法制备单晶阵列的机理推测 | 第51-53页 |
| 3.5 总结 | 第53-54页 |
| 第四章 光刻法制备有机薄膜电路的工艺探索 | 第54-73页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 基础门电路与光刻工艺 | 第55-60页 |
| 4.2.1 基本门电路 | 第55-58页 |
| 4.2.2 光刻工艺 | 第58-60页 |
| 4.3 工艺流程与工艺中存在问题 | 第60-69页 |
| 4.3.1 工艺流程及参数 | 第60-65页 |
| 4.3.2 工艺中存在的问题及可行性 | 第65-69页 |
| 4.4 门电路性质测试 | 第69-72页 |
| 4.5 总结 | 第72-73页 |
| 第五章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 结论 | 第73页 |
| 5.2 展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 硕士期间取得的研究成果 | 第82-83页 |
