| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 芯片制造中的良率 | 第6-15页 |
| 1.1 芯片制造中的良率定义和良率模型 | 第6-8页 |
| 1.2 提升芯片良率的过程 | 第8-9页 |
| 1.3 良率管理中所涉及的数据种类 | 第9-10页 |
| 1.4 良率管理的方法 | 第10-11页 |
| 1.5 常用的失效分析方法 | 第11-15页 |
| 第二章 0.11微米芯片的工艺特性 | 第15-25页 |
| 2.1 0.11微米工艺与0.13微米工艺的主要差别 | 第15-16页 |
| 2.2 0.11微米混合信号芯片制造前段工艺流程简介 | 第16-22页 |
| 2.3 0.11微米混合信号芯片制造中后段工艺流程简介 | 第22-25页 |
| 第三章 0.11微米工艺下混合信号芯片良率实验 | 第25-31页 |
| 3.1 0.11微米混合信号芯片产品特殊图形区域工作电流过低良率损失问题 | 第25-28页 |
| 3.2 特殊图形区域工作电流过低的物理原因 | 第28页 |
| 3.3 受特殊图形良率损失影响芯片的围堵措施及可靠性分析 | 第28-29页 |
| 3.4 针对特殊图形区域工作电流过低良率损失的分析 | 第29-31页 |
| 第四章 实验内容和结果讨论 | 第31-44页 |
| 4.1 实验设计及怀疑步骤数据进一步分析 | 第31-36页 |
| 4.2 实验结果讨论 | 第36-38页 |
| 4.3 本次良率问题的失效模型 | 第38-42页 |
| 4.4 DG去光阻步骤及湿法刻蚀控制的工艺优化 | 第42-44页 |
| 第五章 结论与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
