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面向自适应电压调节的监测单元及关键路径监测点改进设计

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 论文背景与意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-13页
    1.3 本文的主要内容和组织结构第13-17页
第二章 自适应电压调节技术概述第17-31页
    2.1 芯片的功耗组成第17-20页
        2.1.1 CMOS反相器的动态功耗第17-20页
        2.1.2 CMOS反相器的静态功耗第20页
    2.2 芯片中偏差的分析第20-24页
        2.2.1 偏差来源与分类第21页
        2.2.2 工艺偏差第21-23页
        2.2.3 电压偏差第23-24页
        2.2.4 温度偏差第24页
        2.2.5 总结第24页
    2.3 自适应电压调节技术第24-29页
        2.3.1 直接监测AVS技术第24-28页
        2.3.2 间接监测AVS技术第28-29页
    2.4 本章小结第29-31页
第三章 时序监测单元的设计和半路径监测点研究第31-51页
    3.1 半路径监测法基本原理第31-32页
    3.2 时序监测单元的设计第32-38页
        3.2.1 时序监测单元电路结构TD-1第33-35页
        3.2.2 时序监测单元电路结构TD-2第35-37页
        3.2.3 时序监测单元和国际上时序监测单元参数对比第37-38页
    3.3 半路径监测点研究第38-49页
        3.3.1 关键路径筛选第38-43页
        3.3.2 半路径监测点筛选方法第43-49页
    3.4 本章小结第49-51页
第四章 电路仿真设计验证和流片测试第51-69页
    4.1 验证电路设计第51页
    4.2 监测控制模块设计第51-52页
    4.3 设计流程和后端实现第52-54页
        4.3.1 时序监测单元版图实现第52-53页
        4.3.2 监测系统的后端实现第53-54页
    4.4 芯片的功能验证第54-58页
        4.4.1 系统功能验证第54-56页
        4.4.2 自适应调节功能验证第56-58页
    4.5 芯片测试第58-60页
        4.5.1 PCB板设计第59-60页
    4.6 芯片实测结果与分析第60-67页
        4.6.1 芯片功能测试第60-61页
        4.6.2 芯片基准频率测试第61-62页
        4.6.3 常规电压区功耗收益第62-63页
        4.6.4 低电压区功耗收益第63-65页
        4.6.5 监测点功耗偏差分析第65-66页
        4.6.6 最低能耗点分析第66-67页
    4.7 与国内外其他研究结果比较分析第67-68页
    4.8 本章小结第68-69页
第五章 监测点偏差调节电路第69-79页
    5.1 监测点偏差调节电路第69-78页
        5.1.1 监测点偏差率检测电路第71-74页
        5.1.2 时钟占空比调节电路第74-77页
        5.1.3 监测点偏差调节电路联调仿真第77-78页
    5.2 本章小结第78-79页
第六章 总结与展望第79-81页
    6.1 总结第79-80页
    6.2 展望第80-81页
致谢第81-83页
参考文献第83-87页
附录A第87-89页
作者简介第89页

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