铝刻蚀工艺中金属再结晶与蚀坑的形成改善
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第7-18页 |
| 1.1 铝在集成电路制造中的应用 | 第7-9页 |
| 1.2 金属铝作为互连的主要缺陷 | 第9-12页 |
| 1.3 铝铜合金的腐蚀性缺陷 | 第12-13页 |
| 1.4 铝的再结晶缺陷 | 第13-14页 |
| 1.5 金属蚀坑及再结晶缺陷的影响 | 第14-16页 |
| 1.6 本论文研究目的,意义和组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 晶圆制造(VLSI)工艺理论基础 | 第18-29页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 晶圆制造(VLSI)工艺理论基础 | 第18-24页 |
| 2.2.1 溅射理论 | 第18-21页 |
| 2.2.2 光刻 | 第21-22页 |
| 2.2.3 刻蚀技术 | 第22-24页 |
| 2.3 互连的制造流程和工艺简介 | 第24-26页 |
| 2.4 金属互连层主要缺陷的分析 | 第26-28页 |
| 2.5 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 金属缺陷的形貌以及形成原理 | 第29-46页 |
| 3.1 引言 | 第29-31页 |
| 3.2 金属再结晶缺陷的形貌以及形成机理 | 第31-32页 |
| 3.3 金属再结晶缺陷的形成机理 | 第32-34页 |
| 3.4 金属再结晶形貌的实验验证 | 第34-42页 |
| 3.4.1 含氟的层间氧化层氟溢出模型实验验证 | 第34-36页 |
| 3.4.2 刻蚀制程氟残留模型实验验证 | 第36-42页 |
| 3.5 改善金属再结晶缺陷的实验—制程综合与优化 | 第42-45页 |
| 3.5.1 封装及可靠性测试 | 第43-45页 |
| 3.6 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 金属蚀坑的形成与改善 | 第46-53页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 金属蚀坑的形貌 | 第46-47页 |
| 4.3 金属蚀坑的形成机理 | 第47-48页 |
| 4.4 金属蚀坑原理的实验验证 | 第48-51页 |
| 4.4.1 反应时间的验证 | 第48-50页 |
| 4.4.2 电解液的实验验证 | 第50-51页 |
| 4.5 改善金属蚀坑的实验设计 | 第51-52页 |
| 4.6 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 环境因素对金属再结晶及蚀坑缺陷的影响 | 第53-56页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 晶圆存贮仓库环境 | 第53页 |
| 5.3 晶圆存贮仓库的存贮情况 | 第53-54页 |
| 5.4 改善措施 | 第54-55页 |
| 5.5 小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
