TSV热机械应力及其对迀移率的影响的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 微电子技术的发展 | 第16-18页 |
| 1.2 三维集成技术的出现 | 第18-21页 |
| 1.3 TSV热应力的影响 | 第21-22页 |
| 1.4 本文的结构和内容 | 第22-24页 |
| 第二章 热应力分析基本理论和方法 | 第24-34页 |
| 2.1 热应力简介 | 第24-27页 |
| 2.1.1 热应力基本概念 | 第24页 |
| 2.1.2 热弹性理论 | 第24-27页 |
| 2.2 解析法简介 | 第27-30页 |
| 2.2.1 解析法的基本思想 | 第28页 |
| 2.2.2 解析法步骤 | 第28-29页 |
| 2.2.3 matlab简介 | 第29-30页 |
| 2.3 有限单元法简介 | 第30-34页 |
| 2.3.1 有限单元法的基本思想 | 第30-31页 |
| 2.3.2 有限单元法的分析计算步骤 | 第31-32页 |
| 2.3.3 ANSYS简介 | 第32-34页 |
| 第三章 TSV热应力解析建模和分析 | 第34-50页 |
| 3.1 单个TSV热应力解析模型的建立和验证 | 第34-40页 |
| 3.1.1 单个TSV热应力解析模型的建立 | 第34-38页 |
| 3.1.2 解析模型的验证 | 第38-40页 |
| 3.2 铜半径，阻挡层和氧化层对应力的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.1 铜半径的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 氧化层的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.3 阻挡层的影响 | 第42-43页 |
| 3.3 多个TSV的情况 | 第43-48页 |
| 3.3.1 线性叠加原理 | 第43-44页 |
| 3.3.2 两个TSV情况的验证 | 第44-46页 |
| 3.3.3 三个TSV验证 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 TSV热应力对迁移率和KOZ的影响 | 第50-68页 |
| 4.1 硅衬底中的压阻效应 | 第50-52页 |
| 4.2 单个TSV应力对迁移率的影响 | 第52-59页 |
| 4.2.1 TSV热应力解析模型 | 第52-53页 |
| 4.2.2 100晶向迁移率变化 | 第53-55页 |
| 4.2.3 110晶向迁移率变化 | 第55-56页 |
| 4.2.4 100和110晶向迁移率变化对比 | 第56-58页 |
| 4.2.5 TSV半径大小对迁移率的影响 | 第58-59页 |
| 4.3 两个TSV情况下迁移率的变化 | 第59-63页 |
| 4.3.1 TSV相对角度对迁移率变化的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.2 TSV间距对迁移率变化的影响 | 第60-63页 |
| 4.4 四个TSV情况下迁移率变化分布 | 第63-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 本文总结 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
| 1.基本情况 | 第76页 |
| 2.教育背景 | 第76-77页 |
