氮化硅在集成电路铜互连中的应用研究和改善

摘要	第3-4页
Abstract	第4-5页
引言	第6-7页
第一章 集成电路铜互连的发展	第7-9页
1.1 铝互连线的限制	第7页
1.2 铜互连的发展	第7-9页
第二章 铜镶嵌工艺	第9-27页
2.1 金属互连的影响	第9-13页
2.2 铜互连的优势	第13-15页
2.3 铜镶嵌工艺	第15-19页
2.4 0.13um双镶嵌工艺制程概述	第19-27页
第三章 氮化硅作为铜阻挡层的应用	第27-47页
3.1 PECVD简介	第27-31页
3.2 氮化硅薄膜的性质与用途	第31页
3.3 氮化硅的制备方法	第31-32页
3.4 氮化硅作为铜阻挡层遇到的问题	第32-36页
3.5 氮化硅沉积工艺研究	第36-43页
3.6 氮化硅沉积工艺的改进	第43-46页
3.7 小结	第46-47页
第四章 氮化硅作为MIM电容的介质层应用	第47-65页
4.1 氮化硅的优势	第47-48页
4.2 MIM电容的制作工艺	第48-51页
4.3 一个光罩制作的MIM电容存在的问题	第51-53页
4.4 MIM电容的改善研究	第53-59页
4.5 新的氮化硅程式验证	第59-64页
4.6 本章小结	第64-65页
第五章 总结	第65-66页
参考文献	第66-67页
致谢	第67-68页