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具有表面周期性微结构的LED垂直结构功率芯片制备

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-18页
    1.1 本课题的研究背景及意义第10-11页
    1.2 大功率垂直结构LED芯片的研究现状第11-17页
        1.2.1 国内外研究进展第11-14页
        1.2.2 提高垂直结构LED芯片出光效率的主要方法第14-17页
    1.3 本课题的主要研究内容第17-18页
第二章 具有表面周期性微结构的垂直结构LED芯片的制备第18-29页
    2.1 GaN基LED外延生长工艺第18页
    2.2 GaN基垂直结构LED芯片制备关键工艺第18-21页
        2.2.1 Ag基高反射率p型欧姆接触技术第19页
        2.2.2 电镀铜基板技术第19-21页
        2.2.3 激光剥离蓝宝石衬底技术第21页
    2.3 GaN基垂直结构LED芯片测试分析设备第21-23页
        2.3.1 电致发光设备第21-22页
        2.3.2 扫描电子显微镜第22-23页
        2.3.3 其它测试分析设备第23页
    2.4 具有表面周期性微结构的垂直结构LED芯片制备第23-28页
        2.4.1 芯片制备流程第23-26页
        2.4.2 芯片性能表征第26-28页
    2.5 本章小结第28-29页
第三章 N极性面氮化镓表面结构优化研究第29-41页
    3.1 引言第29-31页
    3.2 N极性面氮化镓的表面粗化研究第31-35页
    3.3 具有表面周期性微结构的N极性面氮化镓的表面粗化研究第35-39页
    3.4 本章小结第39-41页
第四章 具有表面周期性微结构的大功率垂直结构LED芯片的n型电极结构优化研究第41-52页
    4.1 引言第41页
    4.2 n型电极结构设计的建模与仿真第41-47页
        4.2.1 COMSOL Multiphysics软件简介第41-42页
        4.2.2 理论分析第42-44页
        4.2.3 仿真模型第44-46页
        4.2.4 模拟结果分析第46-47页
    4.3 实验结果分析第47-51页
    4.4 本章小结第51-52页
总结与展望第52-54页
    课题总结第52-53页
    工作展望第53-54页
参考文献第54-60页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第60-61页
致谢第61-62页
答辩委员会对论文的评定意见第62页

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