| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 ESD设计窗 | 第13-14页 |
| 1.3 ESD器件测试方法 | 第14-15页 |
| 1.4 LDMOS静电释放器件研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5 SCR静电释放器件研究现状 | 第16-19页 |
| 1.6 论文主要研究工作 | 第19-21页 |
| 第2章 深亚微米工艺LDMOS器件的静电鲁棒性 | 第21-29页 |
| 2.1 LDMOS器件简介 | 第21-22页 |
| 2.2 单指器件电流分布的非均匀性分析 | 第22-25页 |
| 2.2.1 单指 18V nLDMOS的二维器件仿真 | 第22-24页 |
| 2.2.2 单指 18V nLDMOS的鲁棒性测试 | 第24-25页 |
| 2.3 多指器件电流分布的非均匀性分析 | 第25-28页 |
| 2.3.1 多指 18V nLDMOS的二维器件仿真 | 第25-27页 |
| 2.3.2 多指 18V nLDMOS的鲁棒性测试 | 第27-28页 |
| 2.4 小结 | 第28-29页 |
| 第3章 深亚微米LDMOS器件的结构优化 | 第29-52页 |
| 3.1 提高多叉指MOSFET器件鲁棒性的现有办法 | 第29-33页 |
| 3.1.1 布局技巧 | 第29-30页 |
| 3.1.2 栅极耦合技术 | 第30-31页 |
| 3.1.3 衬底触发技术 | 第31页 |
| 3.1.4 多米诺型触发技术 | 第31-32页 |
| 3.1.5 衬底自触发技术 | 第32-33页 |
| 3.2 多叉指nLDMOS器件自触发技术 | 第33-41页 |
| 3.2.1 衬底自触发器件结构 | 第33-35页 |
| 3.2.2 器件仿真与机理分析 | 第35-38页 |
| 3.2.3 自触发nLDMOS的测试与讨论 | 第38-41页 |
| 3.2.4 高压多叉指LDMOS器件自触发技术小结 | 第41页 |
| 3.3 多叉指源衬交错型nLDMOS器件 | 第41-48页 |
| 3.3.1 源衬交错型器件结构 | 第41-43页 |
| 3.3.2 BSDOT器件的三维仿真与机理分析 | 第43-45页 |
| 3.3.3 BSDOT器件的测试与讨论 | 第45-48页 |
| 3.3.4 源衬交错型高鲁棒性LDMOS器件小结 | 第48页 |
| 3.4 多边形LDMOS器件的鲁棒性 | 第48-51页 |
| 3.4.1 器件版图设计和测试结果 | 第48-50页 |
| 3.4.2 分析与讨论 | 第50-51页 |
| 3.4.3 多边形LDMOS器件小结 | 第51页 |
| 3.5 小结 | 第51-52页 |
| 第4章 深亚微米LDMOS和SCR混合结构ESD器件研究 | 第52-70页 |
| 4.1 内嵌SCR的LDMOS器件 | 第52-57页 |
| 4.1.1 四种嵌SCR的LDNMOS器件结构 | 第52-54页 |
| 4.1.2 测试对比与ESD特性分析 | 第54-57页 |
| 4.1.3 四种内嵌SCR的LDMOS器件小结 | 第57页 |
| 4.2 ESCR-LDNMOS器件的ESD特性 | 第57-65页 |
| 4.2.1 工作机理 | 第57-59页 |
| 4.2.2 雪崩击穿 | 第59-60页 |
| 4.2.3 热分布 | 第60-61页 |
| 4.2.4 瞬态闩锁免疫能力 | 第61-62页 |
| 4.2.5 响应时间和导通时间 | 第62-64页 |
| 4.2.6 沟道长度和ESD鲁棒性的关联 | 第64-65页 |
| 4.2.7 ESCR-LDNMOS静电特性小结 | 第65页 |
| 4.3 PSCR-nLDMOS型高鲁棒性ESD器件 | 第65-69页 |
| 4.3.1 PSCR-nLDMOS器件结构 | 第65-66页 |
| 4.3.2 PSCR-nLDMOS器件工作机制 | 第66-67页 |
| 4.3.3 PSCR-nLDMOS器件的制备与测试 | 第67-69页 |
| 4.3.4 PSCR-nLDMOS器件小结 | 第69页 |
| 4.4 小结 | 第69-70页 |
| 第5章 深亚微米高压SCR静电器件优化 | 第70-88页 |
| 5.1 环形阴极/阳极单向可控硅静电防护器件 | 第70-76页 |
| 5.1.1 RASCR和RCSCR器件结构与等效电路分析 | 第70-72页 |
| 5.1.2 环形阴阳极SCR维持电压抬高机理 | 第72页 |
| 5.1.3 TCAD仿真分析 | 第72-74页 |
| 5.1.4 TLP测试结果与讨论 | 第74-76页 |
| 5.1.5 环阴阳极可控硅器件小结 | 第76页 |
| 5.2 基于LDPMOS和LDNMOS的双向可控硅静电防护器件 | 第76-86页 |
| 5.2.1 DDSCR器件的工作原理 | 第76-78页 |
| 5.2.2 DDSCR器件的TCAD仿真 | 第78-83页 |
| 5.2.3 器件制备与测试结果 | 第83-86页 |
| 5.2.4 基于LDMOS的双向SCR静电器件小结 | 第86页 |
| 5.3 小结 | 第86-88页 |
| 第6章 总结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第97-99页 |
